公开(公告)号：CN117438292A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310773937.1

申请日：2023-06-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 辻英德 ,  上野胜典 ,  高岛信也 ,  吉村尚

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，由氢离子形成的施主浓度有时根据半导体基板的碳浓度等而变动。半导体装置的制造方法包括：设定步骤，根据缓冲区应具有的载流子浓度的分布来设定向与多个浓度峰对应的多个深度位置注入的氢离子的剂量；以及注入步骤，根据在设定步骤中设定的所述剂量向半导体基板注入氢离子，在设定步骤中，根据半导体基板的碳浓度来设定针对多个浓度峰中的距半导体基板的下表面最远的最深峰的氢离子的剂量，并且不依赖于半导体基板的所述碳浓度来设定针对除最深峰以外的浓度峰中的至少一个浓度峰的剂量。

公开(公告)号：CN119452752A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380049578.3

申请日：2023-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 辻英德 ,  高岛信也 ,  上野胜典 ,  吉村尚 ,  谷口竣太郎

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明提供一种具备氧化学浓度为1×1016atoms/cm3以上的半导体基板的半导体装置，该半导体装置包含体施主和增加施主，具备掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的缓冲区，遍及从缓冲区的下端到最深峰为止的整个第一范围，热施主的浓度为同一深度位置处的增加施主的浓度的10%以下。

公开(公告)号：CN119452751A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380049404.7

申请日：2023-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大岛佑介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  谷口竣太郎 ,  辻英德

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D12/01 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，所述半导体基板在深度方向上具有一个以上的作为氢化学浓度的峰的氢峰，一个以上的所述氢峰包括最远离所述半导体基板的所述下表面的最深峰，所述半导体基板具有：下侧区域，其是从所述下表面起直到所述最深峰为止的区域；以及上侧区域，其是从所述最深峰起配置到所述上表面为止的区域，对于碳化学浓度和氧化学浓度中的至少一者而言，所述下侧区域的浓度为所述上侧区域的浓度的2倍以上。

公开(公告)号：CN119072789A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380035915.3

申请日：2023-07-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 谷口竣太郎 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  大岛佑介 ,  辻英德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间分布有体施主，并且设置有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备第一导电型的高浓度区，所述第一导电型的高浓度区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，并包含氢施主，并且载流子浓度比体施主浓度高，所述高浓度区具有第一部分，在所述第一部分中，从载流子浓度减去体施主浓度而得的氢施主浓度为7×1013/cm3以上且1.5×1014/cm3以下，在所述半导体基板的深度方向上，所述第一部分的长度为所述高浓度区的长度的50％以上。