公开(公告)号：CN101350618B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200810109852.9

申请日：2008-05-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 原田祐一 ,  伊仓巧裕 ,  渡边泰正 ,  上野胜典

IPC: H03K19/0185 ,  H01L21/784

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明提供了一种即便在过量负电压或ESD浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的n沟道MOSFET构成，并且电平移动电阻器与限流电阻器之间的部分是电平上移电路的输出部。通过设置限流电阻器，因过量负电压或ESD浪涌而流动的电流被抑制，由此防止电平移动电流失效或故障。