公开(公告)号：CN1610091A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

公开(公告)号：CN100341137C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si-OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

公开(公告)号：CN1389907A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121528.6

申请日：2002-04-30

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 藤井恭 ,  饭田启之 ,  佐藤功 ,  胁屋和正 ,  横井滋

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76802

Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层,通过光刻胶图案进行蚀刻处理后,利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法,在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时,不仅不会损伤到SiO2类涂层,而且可维持较低的介电系数。

公开(公告)号：CN1245743C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN02121528.6

申请日：2002-04-30

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 藤井恭 ,  饭田启之 ,  佐藤功 ,  胁屋和正 ,  横井滋

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76802

Abstract: 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO2涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO2类涂层，通过光刻胶图案进行蚀刻处理后，利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO2类涂层。通过这一方法，在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时，不仅不会损伤到SiO2类涂层，而且可维持较低的介电系数。