公开(公告)号：CN1610091A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

公开(公告)号：CN100341137C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si-OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

公开(公告)号：CN1717797A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104369.7

申请日：2003-11-27

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 萩原嘉男 ,  田中健

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种通过采用导体材料埋入形成于层间绝缘层的第1蚀刻空间和与之连通的第2蚀刻空间，来形成多层布线结构的使用了双重镶嵌工艺的布线形成方法，在该形成方法中，不使构成层间绝缘层的低介电层劣化并能削减工序数，同时提高工序管理的自由度。因此，为了保护下层布线层不受用于形成第2蚀刻空间形成用的光刻胶图形的曝光光的影响，作为填充到第1蚀刻空间内的材料，使用不会损伤层间绝缘层且利用剥离液能够容易地去除的以旋压玻璃材料为主成分的填埋材料，同时在该填埋材料中不添加用于吸收曝光光的吸光材料，而是在填埋材料层的上面形成可通过干法蚀刻来加工的防反射膜、或形成显影液可溶性的防反射膜。

公开(公告)号：CN100342521C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200380104369.7

申请日：2003-11-27

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 萩原嘉男 ,  田中健

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种通过采用导体材料埋入形成于层间绝缘层的第1蚀刻空间和与之连通的第2蚀刻空间，来形成多层布线结构的使用了双重镶嵌工艺的布线形成方法，在该形成方法中，不使构成层间绝缘层的低介电层劣化并能削减工序数，同时提高工序管理的自由度。因此，为了保护下层布线层不受用于形成第2蚀刻空间形成用的光刻胶图形的曝光光的影响，作为填充到第1蚀刻空间内的材料，使用不会损伤层间绝缘层且利用剥离液能够容易地去除的以旋压玻璃材料为主成分的填埋材料，同时在该填埋材料中不添加用于吸收曝光光的吸光材料，而是在填埋材料层的上面形成可通过干法蚀刻来加工的防反射膜、或形成显影液可溶性的防反射膜。