公开(公告)号：CN1717797A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104369.7

申请日：2003-11-27

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 萩原嘉男 ,  田中健

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种通过采用导体材料埋入形成于层间绝缘层的第1蚀刻空间和与之连通的第2蚀刻空间，来形成多层布线结构的使用了双重镶嵌工艺的布线形成方法，在该形成方法中，不使构成层间绝缘层的低介电层劣化并能削减工序数，同时提高工序管理的自由度。因此，为了保护下层布线层不受用于形成第2蚀刻空间形成用的光刻胶图形的曝光光的影响，作为填充到第1蚀刻空间内的材料，使用不会损伤层间绝缘层且利用剥离液能够容易地去除的以旋压玻璃材料为主成分的填埋材料，同时在该填埋材料中不添加用于吸收曝光光的吸光材料，而是在填埋材料层的上面形成可通过干法蚀刻来加工的防反射膜、或形成显影液可溶性的防反射膜。

公开(公告)号：CN1396648A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02125182.7

申请日：2002-04-27

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 井口悦子 ,  田中健

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76808 ,  G03F7/70341

Abstract: 本发明提供一种微孔埋入方法。它是埋入孔型径0.18μm或以下细微孔的方法，它包括以下工序，(i)重量平均分子量为800或以下，由至少2个羟烷基或烷氧烷基取代的、由密胺、苯并胍胺、乙酰胍胺、甘脲、尿素、硫脲、胍、烷撑脲、和琥珀酰胺中选出至少一种形成的含氮化合物溶解在有机溶剂中，将由此形成的埋入材料涂布在上述细微孔中，(ii)将上述埋入材料干燥、(iii)再将上述埋入材料在150～250℃下加热。本发明方法具有在向微孔填充时不产生气泡的优点。

公开(公告)号：CN100342521C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200380104369.7

申请日：2003-11-27

Applicant: 东京応化工业株式会社

Inventor： 萩原嘉男 ,  田中健

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

Abstract: 一种通过采用导体材料埋入形成于层间绝缘层的第1蚀刻空间和与之连通的第2蚀刻空间，来形成多层布线结构的使用了双重镶嵌工艺的布线形成方法，在该形成方法中，不使构成层间绝缘层的低介电层劣化并能削减工序数，同时提高工序管理的自由度。因此，为了保护下层布线层不受用于形成第2蚀刻空间形成用的光刻胶图形的曝光光的影响，作为填充到第1蚀刻空间内的材料，使用不会损伤层间绝缘层且利用剥离液能够容易地去除的以旋压玻璃材料为主成分的填埋材料，同时在该填埋材料中不添加用于吸收曝光光的吸光材料，而是在填埋材料层的上面形成可通过干法蚀刻来加工的防反射膜、或形成显影液可溶性的防反射膜。