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公开(公告)号：CN101552094B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810185049.3
申请日：2008-12-26
Abstract: 本发明涉及一种电子组件，该电子组件包括：多层陶瓷基底，所述多层陶瓷基底具有在其中形成的穿透电极，并且具有在其上表面上提供的无源元件；绝缘膜，所述绝缘膜被提供在所述多层陶瓷基底上，并且具有在所述穿透电极上方的开口；第一连接端子，所述第一连接端子被提供在所述绝缘膜上以覆盖所述开口，并且被电连接到所述穿透电极；以及第二连接端子，所述第二连接端子被提供在所述绝缘膜的区域上，所述区域不同于所述开口区域。其中，所述穿透电极的上表面被定位为相比所述多层陶瓷基底的所述上表面具有一个突起量，该穿透电极的突起量差不多等于所述绝缘膜的膜厚度，从而使所述第一连接端子的高度差不多等于所述第二连接端子的高度。
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公开(公告)号：CN110545084A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910316552.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。
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公开(公告)号：CN103973258B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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公开(公告)号：CN104716925B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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公开(公告)号：CN104716925A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103973258A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042168.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/70 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/02118 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/588 , H03H9/589
Abstract: 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于所述基板上的压电膜；隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；插入膜，其插入进所述压电膜，并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
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公开(公告)号：CN101796726B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200780100360.7
申请日：2007-08-24
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/17
Abstract: 提供一种在保持了本来的基于厚度纵向振动的谐振特性的情况下选择性地仅减少横向波型的波的压电薄膜谐振器。压电薄膜谐振器包括：压电膜(14)；第一电极(15a)，形成在压电膜(14)的第一主面上；以及第二电极(13)，形成在压电膜(14)的第二主面上，该第二主面是压电膜(14)的第一主面的背面；所述压电薄膜谐振器具有第一电极(15a)和第二电极(13)相对的谐振区域(20)。在谐振区域(20)中的压电膜(14)的第一主面上具有与第一电极(15a)绝缘的电气性不连续部(18a)，电气性不连续部(18a)在第一主面上被第一电极(15a)包围。
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公开(公告)号：CN101741343B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN102638244A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027528.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H3/04 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/582 , H03H2003/021 , H03H2003/0442 , H03H2003/045 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括：基板；压电膜，所述压电膜形成在所述基板上；下电极，所述下电极设置在所述压电膜的第一表面上；上电极，所述上电极设置在所述压电膜的与所述第一表面相对的第二表面上；以及质量负荷膜，所述质量负荷膜在谐振部分中具有第一图案和第二图案，在所述谐振部分中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对，所述第一图案具有多个部分，并且所述第二图案具有将所述第一图案的所述多个部分相互连接的多个部分。
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公开(公告)号：CN102273073A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154141.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/584 , H03H9/0095 , H03H9/542 , H03H9/60 , H03H9/706
Abstract: 滤波元件具有：相互级联连接的多个层叠滤波器(101、102)，各个层叠滤波器具有上下层叠的多个压电薄膜谐振器，各压电薄膜谐振器具有压电膜和上下夹着所述压电膜的一对第1电极；以及电容器(40)，其连接在多个层叠滤波器之中前级的层叠滤波器(101)的输入端子与多个层叠滤波器之中后级的层叠滤波器(102)的输入端子之间，所述前级和所述后级的层叠滤波器的输入端子所连接的所述压电薄膜谐振器(10a)和(20b)的激振方向相互反转。
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