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公开(公告)号:CN101136620B
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200710147242.3
申请日:2007-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明提供一种声波器件、滤波器和双工器。该声波器件包括:第一谐振器,其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料;以及第二谐振器,其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料,并且与所述第一谐振器串联连接成:使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势。
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公开(公告)号:CN101741343B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200910168371.X
申请日:2009-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括:基板;下电极;压电薄膜,设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜,第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号:CN101207370B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200710198855.X
申请日:2007-12-14
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供了薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括:下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;压电薄膜,其形成在所述下电极上;上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并透射所述波;以及相邻区,其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。
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公开(公告)号:CN101309074B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200810096545.1
申请日:2008-05-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/0211 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括:在基板上形成的下部电极;在该基板和该下部电极上形成的压电膜;在该压电膜上形成的上部电极,该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间;以及附加膜,该附加膜形成在该基板上,在该下部电极的外周的至少一部分上,并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分,该附加膜沿着该下部电极布置。
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公开(公告)号:CN101170303B
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN200710167454.8
申请日:2007-10-25
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括:由基板支撑的下部电极,在该下部电极的下方限定有一空间;设置在下部电极和基板上的压电膜;以及上部电极,该上部电极设置在压电膜上以形成谐振部分,在该谐振部分中,上部电极隔着压电膜与下部电极面对。下部电极和上部电极中的至少一个具有互连部分,该互连部分用于从谐振部分提取信号并位于该空间的上方。下部电极和上部电极中的所述至少一个在其中下部电极和上部电极中的所述至少一个与压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积,并且在谐振部分中具有第二质量每单位面积,该第一质量每单位面积小于该第二质量每单位面积。
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