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公开(公告)号：CN110545084B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910316552.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。
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公开(公告)号：CN110556248A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910461518.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠陶瓷电容器，包括：具有平行六面体形状的层叠芯片，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替地层叠，并且该多个内部电极层的每一层交替地露出至层叠芯片的两个端面，该多个电介质层的主要成分是陶瓷；以及形成在两个端面上的一对外部电极；其中：该一对外部电极具有在底层上形成镀层的结构；底层的主要成分是包含Ni和Cu中的至少一种的金属或合金；并且，底层的镀层侧表面的至少一部分包括含Mo的夹杂物。
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公开(公告)号：CN110556248B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201910461518.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠陶瓷电容器，包括：具有平行六面体形状的层叠芯片，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替地层叠，并且该多个内部电极层的每一层交替地露出至层叠芯片的两个端面，该多个电介质层的主要成分是陶瓷；以及形成在两个端面上的一对外部电极；其中：该一对外部电极具有在底层上形成镀层的结构；底层的主要成分是包含Ni和Cu中的至少一种的金属或合金；并且，底层的镀层侧表面的至少一部分包括含Mo的夹杂物。
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公开(公告)号：CN110545084A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910316552.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。
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