公开(公告)号：CN110545084B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201910316552.6

申请日：2019-04-19

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 田中邦明 ,  西原时弘 ,  山藤知德

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58 ,  H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。

公开(公告)号：CN110545084A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910316552.6

申请日：2019-04-19

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 田中邦明 ,  西原时弘 ,  山藤知德

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58 ,  H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明涉及氮化铝膜、压电装置、谐振器、滤波器和多路复用器。本发明提供一种氮化铝膜，其中，含有不同于铝并取代铝的金属元素的氮化铝晶粒是由晶粒形成的多晶膜的主晶粒，并且在多晶膜的膜厚度方向上对应于多晶膜的两个端部的第一区域和第二区域中的至少一个区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度高于至少一个区域中的氮化铝晶粒的中心区域中的金属元素的浓度，并高于在多晶膜的膜厚度方向上位于第一区域和第二区域之间的第三区域中的氮化铝晶粒之间的晶界中的金属元素的浓度。