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公开(公告)号：CN111515480B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202010319991.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种微粒辅助掩膜电解加工的装置及方法，属于微细电解加工领域。装置通过阴阳极夹具将阴阳极板固定，阴阳极夹具通过螺栓组固接形成密闭反应腔，使微粒随电解液在加工过程中稳定循环。方法包括“基底预处理‑阳极基底掩膜制作‑微粒辅助电解加工”步骤，通过电解液中添加微粒辅助掩膜电解加工，微粒在流体作用下获得动能，随电解液循环运动，撞击阳极加工表面，可以有效去除加工过程中阳极金属表面生成的钝化膜，提高阳极金属表面与电解液接触面积，加快电解反应速率，同时附着加工产物排出加工间隙。本发明微粒辅助掩膜电解加工提高了电解加工的深刻蚀能力，同时保证加工精度，加工定域性得到改善，本方法在加工高深宽比微结构时改善效果尤其明显。
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公开(公告)号：CN113046803A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110278891.7
申请日：2021-03-16
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种利用弧形喷射阴极移动提高掩膜电解加工精度的装置及方法，包括弧形阴极喷嘴结构、阳极工件、电解槽、电机、导轨、移动滑块、传动丝杠、支撑梁。阳极工件置于电解槽底部，完全浸没于电解液中，与阴极喷嘴形成导电回路。电机驱动传动丝杠转动，传动丝杠带动滑块及其上面的支撑梁沿着导轨做往复平移运动。弧形阴极喷嘴结构固定于支撑梁上，移动机构带动其位置变化。掩膜电解加工过程中采用弧形移动阴极达到改善加工过程中电场分布的目的，提高微结构的刻蚀均匀性。弧形阴极上喷射的电解液能够将微结构内的电解产物及时排出，增强传质，提高定域蚀除能力。本发明操作简单易行，能够有效地提高金属微结构的均匀性和定域性，提高掩膜电解加工精度。
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公开(公告)号：CN109773292B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910153666.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 一种兆声掩膜电解加工高深宽比微结构的装置及方法，属于电解加工领域，该装置中上盖板、侧围板、下底板组成电解液腔；兆声阳极安装于上盖板，阴极板固定于下底板；刻蚀件固定于兆声阳极上，压电陶瓷粘贴于兆声阳极的内部。兆声掩膜电解加工提高微结构深刻蚀能力的工艺为：在电解液腔由进液孔泵入电解液并从出液孔流出并循环；通过陶瓷引线为压电陶瓷通入兆声波信号，压电陶瓷产生兆声振动激励阳极工件振动，向电解液中辐射兆声波；分别通过阳极导线、阴极导电螺钉为阳极工件、阴极板接入刻蚀电流，实现阳极电解加工。本发明操作简单易行，能够有效提高金属微结构的深刻蚀能力，实现金属高深宽比微结构的兆声掩膜电解加工。
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公开(公告)号：CN108018584B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201711154700.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种提高金属微电铸均匀性的兆声电铸设备及方法，将双向交替兆声波耦合进电铸过程中，该设备包括兆声铸槽，所述兆声铸槽包括压电陶瓷组、电铸槽、防水槽和水浴槽。电铸槽在防水槽内部贴壁固定，防水槽在水浴槽内通过与防水槽一体的上盖板固定于水浴槽上。其中压电陶瓷组粘贴于电铸槽的两侧壁外，电铸槽为石英材质，且壁厚为所用兆声频率在石英中的半波长。压电陶瓷组通入兆声波信号，实现双向兆声振动的时间控制。兆声提高微电铸均匀性的方法是在基板上制作光刻胶微结构，实现胶膜图形化，并在电铸过程中施加双向交替的兆声波辐照。本发明的兆声电铸设备及方法操作简单易行，且能够有效的提高金属微电铸过程中铸层的均匀性。
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公开(公告)号：CN108018584A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711154700.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种提高金属微电铸均匀性的兆声电铸设备及方法，将双向交替兆声波耦合进电铸过程中，该设备包括兆声铸槽，所述兆声铸槽包括压电陶瓷组、电铸槽、防水槽和水浴槽。电铸槽在防水槽内部贴壁固定，防水槽在水浴槽内通过与防水槽一体的上盖板固定于水浴槽上。其中压电陶瓷组粘贴于电铸槽的两侧壁外，电铸槽为石英材质，且壁厚为所用兆声频率在石英中的半波长。压电陶瓷组通入兆声波信号，实现双向兆声振动的时间控制。兆声提高微电铸均匀性的方法是在基板上制作光刻胶微结构，实现胶膜图形化，并在电铸过程中施加双向交替的兆声波辐照。本发明的兆声电铸设备及方法操作简单易行，且能够有效的提高金属微电铸过程中铸层的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111001982B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201911162003.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梳齿式结构的金属铜微通道热沉及制作方法，属于微制造技术领域。通过分别在两片金属铜基板上制作微通道结构，将基板上分别设置的凹槽和凸起结构对准并封装两片基板，形成梳齿式结构的金属铜微通道，每一片基板上微通道的宽度较宽，方便SU‑8胶的去除，并且梳齿式结构的微通道有利于减小对冷却介质的流动阻力。本发明解决了现有的基于UV‑LIGA技术制作的金属铜微通道热沉，因其具有小线宽、大深宽比的特点，一方面在电铸工艺完成后，SU‑8胶难以去除；另一方面小线宽金属铜微通道热沉的流动阻力较大的问题。
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公开(公告)号：CN111515480A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010319991.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种微粒辅助掩膜电解加工的装置及方法，属于微细电解加工领域。装置通过阴阳极夹具将阴阳极板固定，阴阳极夹具通过螺栓组固接形成密闭反应腔，使微粒随电解液在加工过程中稳定循环。方法包括“基底预处理‑阳极基底掩膜制作‑微粒辅助电解加工”步骤，通过电解液中添加微粒辅助掩膜电解加工，微粒在流体作用下获得动能，随电解液循环运动，撞击阳极加工表面，可以有效去除加工过程中阳极金属表面生成的钝化膜，提高阳极金属表面与电解液接触面积，加快电解反应速率，同时附着加工产物排出加工间隙。本发明微粒辅助掩膜电解加工提高了电解加工的深刻蚀能力，同时保证加工精度，加工定域性得到改善，本方法在加工高深宽比微结构时改善效果尤其明显。
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公开(公告)号：CN109346446A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811070961.4
申请日：2018-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开一种适用于大尺寸、高密集结构金属微通道散热器的键合封装方法，步骤为：1)在封装盖板上加工出键合定位凹槽；2)在定位块上加工出盖板定位槽及微通道底板定位槽；3)通过定位块上的盖板定位槽定位安装封装盖板；金属浆料涂覆于封装盖板上的键合定位凹槽内；4)通过定位块上的微通道底板定位槽及封装盖板上的键合定位槽安装微通道底板；5)将定位对准后的封装体螺栓弹性预紧，无氧高温熔浆，冷却键合，最终获得大尺寸密集型金属微通道散热器的封装体。本发明提出的过渡层补偿式键合封装方法，突破了大尺寸、高密集结构金属微通道散热器的键合封装技术瓶颈，实现了高强度、无间隙、高精度的金属微通道封装。
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公开(公告)号：CN111621816A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010458143.2
申请日：2020-05-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法，属于微制造技术领域。基于UV-LIGA技术，在不锈钢基底上，将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺，从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”，制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度；利用叠层光刻胶工艺，通过多次SU-8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理，将微柱阵列与底板制作得到；利用真空退火工艺降低铸层的内应力，并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10：1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题，并且微柱深宽比越大，本发明的有益效果越明显。另外，本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN108560024B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810466345.4
申请日：2018-05-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D1/00
Abstract: 本发明属于微制造技术领域，提供一种减小微电铸层残余应力的兆声辅助电铸方法，该方法通过在微电铸过程中施加兆声振动进行制备金属微结构，包括“基底预处理‑微电铸型膜制作‑兆声辅助微电铸”，解决了现有技术中工艺参数优化、热处理、超声振动时效和超声辅助电铸等方法的不足和应用的局限性，有效的减小了微电铸层残余应力并且对微电铸型膜结构无损害，具有应用范围广、简单、高效的特点，从而提高金属微器件的制作成品率和使用寿命。
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