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公开(公告)号：CN110055563A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910378094.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十四研究所 , 大连理工大学
Abstract: 本发明提出了一种提高金属散热器微通道电铸均匀性的方法，首先在基板上涂覆光刻胶，在基板上涂光刻胶，然后进过自平整、覆盖掩膜板进行曝光，后烘、显影，得到可用于微通道电铸的胶膜结构；然后对基板上的胶膜进行电铸：电铸过程在兆声环境中进行，将基板作为阴极，同时阴极施加旋转运行，对铸液循环过滤，在胶膜结构的通道中形成微通道铸层；最后去除胶膜，形成最终的均匀性较好的散热器微通道：将电铸后的放入去胶液中浸泡，待结构上的胶膜全部去除后取出，使用去离子水漂洗后得到铸层厚度均匀的金属微通道结构；本发明显著的提高了金属微通道铸层的均匀性。
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公开(公告)号：CN108624922A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810457726.6
申请日：2018-05-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十四研究所 , 大连理工大学
Abstract: 本发明提出了一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，首先在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，进行曝光，显影，并进行烘烤成坚硬胶膜；在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到金属种子层；在种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；对种子层进行腐蚀，得到辅助结构图形的种子层；在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；微电铸金属；去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件；本方法提高复杂结构微器件的铸层均匀性。
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公开(公告)号：CN111621816A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010458143.2
申请日：2020-05-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法，属于微制造技术领域。基于UV-LIGA技术，在不锈钢基底上，将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺，从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”，制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度；利用叠层光刻胶工艺，通过多次SU-8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理，将微柱阵列与底板制作得到；利用真空退火工艺降低铸层的内应力，并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10：1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题，并且微柱深宽比越大，本发明的有益效果越明显。另外，本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN108624922B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810457726.6
申请日：2018-05-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十四研究所 , 大连理工大学
Abstract: 本发明提出了一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法，首先在基板上涂第一负光刻胶，进行前烘，进行曝光，显影，并进行烘烤成坚硬胶膜；在图形化的第一负光刻胶胶膜上溅射导电金属，得到金属种子层；在种子层上涂覆正性光刻胶，经过前烘、曝光、显影后，将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上，即形成掩蔽层；对种子层进行腐蚀，得到辅助结构图形的种子层；在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶，经过前烘，曝光，后烘，显影，得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；微电铸金属；去除光刻胶及辅助结构电铸层，得到微器件；本方法提高复杂结构微器件的铸层均匀性。
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公开(公告)号：CN106363463B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610667980.X
申请日：2016-08-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23Q17/12
Abstract: 本发明公开了一种基于占能比的铣削加工颤振在线监测方法，属于振动监测领域，涉及信号处理与状态监测两方面。本发明借助于非接触测量的声压传感器对加工过程中的声压信号进行数据采集，根据颤振发生时能量集中频段转移理论，对采集的数据进行了小波包分解，构建出了颤振发生时特征值变化趋势，基于此，设置了时域有效值和频域上占能比阈值，作为加工在线监测设定判断标准，实现了铣削加工颤振的非接触高精度在线监测。该监测方案信号来源于声压，声压传感器易于固定，信号来源方便。颤振的监测经过多重标准，考虑了时域及频域特征，在提高方案的可靠性的同时还可以提高计算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105603468B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510969313.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D1/00
Abstract: 一种金属镍基底上制备高密集微细镍圆柱阵列的方法，属于微制造技术领域，涉及金属基底上微电铸金属阵列器件类，特别涉及到一种基于UV‑LIGA工艺在金属镍基底上制备高密集型微细镍圆柱阵列的方法。其特征是：在金属镍基底上，经过两次匀胶、曝光及超声显影等工艺制作SU‑8胶模，再通过超声电铸镍、研磨、煮酸等工艺实现圆柱阵列的制作。最后通过退火工艺去除圆柱内的残余应力。本发明的有益效果是：通过超声显影和超声电铸等手段解决了现有方法中盲孔电铸中的“失铸”以及微圆柱阵列与基底的结合力差等问题。制作的圆柱阵列直径小于100μm、柱间距小于200μm、高度达数百微米。本发明具有工艺简单、圆柱与金属基底结合力好、表面形貌完好、微柱阵列的密度大等优点。
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公开(公告)号：CN107177866A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710285069.7
申请日：2017-04-28
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C25D1/10 , C23C28/023 , C25D3/38
Abstract: 金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。
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公开(公告)号：CN103913789B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410134217.1
申请日：2014-04-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 金属基底上制备高深宽比金属微光栅的方法，属于微制造技术领域。采用UV-LIGA技术在高纯镍板基底J上，经两次匀胶、分层曝光以及一次显影等光刻工艺过程得到SU-8胶胶膜，再经微电铸镍N、微电铸后处理来实现金属微光栅的制作；通过线宽补偿的方法解决溶胀引起的线宽变小问题；在去胶工序中，采用了“超声-浸泡-超声-浸泡”循环往复的方法去胶；在退火工序中使用真空退火去除残余应力，提高了基底与金属光栅之间的结合力。本发明的效果和益处是：采用此方法在金属基底J上制备金属微光栅具有深宽比、尺寸精度和机械强度高的特点，制备工艺简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN111621816B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010458143.2
申请日：2020-05-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法，属于微制造技术领域。基于UV‑LIGA技术，在不锈钢基底上，将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺，从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”，制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度；利用叠层光刻胶工艺，通过多次SU‑8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理，将微柱阵列与底板制作得到；利用真空退火工艺降低铸层的内应力，并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10：1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题，并且微柱深宽比越大，本发明的有益效果越明显。另外，本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN109773292A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910153666.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 一种兆声掩膜电解加工高深宽比微结构的装置及方法，属于电解加工领域，该装置中上盖板、侧围板、下底板组成电解液腔；兆声阳极安装于上盖板，阴极板固定于下底板；刻蚀件固定于兆声阳极上，压电陶瓷粘贴于兆声阳极的内部。兆声掩膜电解加工提高微结构深刻蚀能力的工艺为：在电解液腔由进液孔泵入电解液并从出液孔流出并循环；通过陶瓷引线为压电陶瓷通入兆声波信号，压电陶瓷产生兆声振动激励阳极工件振动，向电解液中辐射兆声波；分别通过阳极导线、阴极导电螺钉为阳极工件、阴极板接入刻蚀电流，实现阳极电解加工。本发明操作简单易行，能够有效提高金属微结构的深刻蚀能力，实现金属高深宽比微结构的兆声掩膜电解加工。
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