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公开(公告)号：CN100416820C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410092680.0
申请日：2004-11-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 陈行聪 , 斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 , 马修·伊尔·科尔伯恩 , 蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 , 杰弗里·科蒂斯·海德里克 , 黄遏明 , 考什克·阿伦·库马尔 , 迈克尔·怀恩·雷恩 , 凯利·马龙 , 昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 , 萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 , 萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 , 罗伯特·罗森伯格 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 , 虞蓉卿
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。
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公开(公告)号：CN102124562B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200980132049.X
申请日：2009-05-06
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 提供了一种制造3D集成电路结构的方法。提供接口晶片，所述接口晶片包括第一布线层和穿透硅通路，提供第一有源电路层晶片，所述第一有源电路层晶片包括有源电路。将所述第一有源电路层晶片接合至所述接口晶片。随后，移除所述第一有源电路层晶片的第一部分，以使得所述第一有源电路层晶片的第二部分保持附着至所述接口晶片。包括所述接口晶片和所述第一有源电路层晶片的所述第二部分的堆叠结构被接合至基底晶片。此后，薄化所述接口晶片以形成接口层，以及形成金属化层于所述接口层上，所述金属化层通过所述接口层中的所述穿透硅通路耦合至所述第一布线层。还提供了一种编码有包括用于执行制造3D集成电路结构的方法的指令的程序的实体计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN102124562A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132049.X
申请日：2009-05-06
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 提供了一种制造3D集成电路结构的方法。提供接口晶片，所述接口晶片包括第一布线层和穿透硅通路，提供第一有源电路层晶片，所述第一有源电路层晶片包括有源电路。将所述第一有源电路层晶片接合至所述接口晶片。随后，移除所述第一有源电路层晶片的第一部分，以使得所述第一有源电路层晶片的第二部分保持附着至所述接口晶片。包括所述接口晶片和所述第一有源电路层晶片的所述第二部分的堆叠结构被接合至基底晶片。此后，薄化所述接口晶片以形成接口层，以及形成金属化层于所述接口层上，所述金属化层通过所述接口层中的所述穿透硅通路耦合至所述第一布线层。还提供了一种编码有包括用于执行制造3D集成电路结构的方法的指令的程序的实体计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN101496138B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200780028236.4
申请日：2007-07-24
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L24/90 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/9201 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01054 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供了一种用于提供垂直晶片-到-晶片互连结构的通孔互连的制造方法，以及通过所述方法形成的垂直互连结构。本发明的方法仅使用金属柱用于垂直互连，由此金属柱不产生α辐射。本发明的方法包括插入步骤、加热步骤、减薄步骤以及背面处理。
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公开(公告)号：CN110621356B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201880015920.7
申请日：2018-03-06
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明的各方面包括制造用于医疗植入装置的抗菌表面的方法，包括在硅衬底上图案化光致抗蚀剂层并蚀刻硅以产生多个纳米柱。本发明的各方面还包括从结构中去除光致抗蚀剂层并用生物相容性膜涂覆多个纳米柱。本发明的各方面还包括用于预防与医疗植入物相关的细菌感染的包括包含多个纳米柱的薄硅膜的系统。
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公开(公告)号：CN110621356A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880015920.7
申请日：2018-03-06
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明的各方面包括制造用于医疗植入装置的抗菌表面的方法，包括在硅衬底上图案化光致抗蚀剂层并蚀刻硅以产生多个纳米柱。本发明的各方面还包括从结构中去除光致抗蚀剂层并用生物相容性膜涂覆多个纳米柱。本发明的各方面还包括用于预防与医疗植入物相关的细菌感染的包括包含多个纳米柱的薄硅膜的系统。
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公开(公告)号：CN101496138A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028236.4
申请日：2007-07-24
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L24/90 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/9201 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01054 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供了一种用于提供垂直晶片－到－晶片互连结构的通孔互连的制造方法，以及通过所述方法形成的垂直互连结构。本发明的方法仅使用金属柱用于垂直互连，由此金属柱不产生α辐射。本发明的方法包括插入步骤、加热步骤、减薄步骤以及背面处理。
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公开(公告)号：CN1630077A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410092680.0
申请日：2004-11-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 陈行聪 , 斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 , 马修·伊尔·科尔伯恩 , 蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 , 杰弗里·科蒂斯·海德里克 , 黄遏明 , 考什克·阿伦·库马尔 , 迈克尔·怀恩·雷恩 , 凯利·马龙 , 昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 , 萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 , 萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 , 罗伯特·罗森伯格 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 , 虞蓉卿
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。
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