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公开(公告)号：CN120060971A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510526067.7
申请日：2025-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本申请属于薄膜制造技术领域，尤其涉及一种自支撑单晶氧化物薄膜及其制备方法，柔性电子器件。包括步骤：根据氧化物材料的晶格常数配制牺牲层材料，使所述牺牲层材料与所述氧化物材料的晶格失配率不高于1.7%；获取单晶衬底，将牺牲层材料与氧化物材料在单晶衬底表面制成依次叠层设置的牺牲层和单晶氧化物层；刻蚀去除牺牲层，得到自支撑单晶氧化物薄膜。由于牺牲层与单晶氧化物层的晶格参数匹配度高，减少了牺牲层和单晶氧化物层的晶格失配，能够实现单晶氧化物层的无损剥离，保证自支撑单晶氧化物薄膜的完整性，并保持自支撑单晶氧化物薄膜的优异性能，获得柔性化的自支撑单晶氧化物薄膜，适于应用到柔性电子器件中。
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公开(公告)号：CN117213942A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311155366.1
申请日：2023-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种用于锌离子电池正极应变测试的散斑制备方法，属于电池正极应变测试技术领域。本发明提供了石墨在电池电极应变测试的散斑制备上的应用。具体提供了用于锌离子电池正极应变测试的散斑制备方法，石墨在锌离子电池中无化学活性，但具有天然散斑，将其与锌离子电池正极材料混合，可作为正极材料测试应变的天然散斑，该散斑可以稳定存在，并保证循环过程中不会脱落。石墨颗粒一方面在白光照射下能产生自然的斑点图案，另一方面在循环过程中与电解质反应无活性。这种非常简单易行的方法使DIC测量所有AZIB阴极成为可能。
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公开(公告)号：CN118660619A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410604449.2
申请日：2024-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开一种复合铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法，涉半导体技术领域。所述复合铁电薄膜包括层叠设置的氧化铪基铁电层和异质氧化物层，所述异质氧化物层包括CeO2、Al2O3、ZrO2中的至少一种。本发明将异质氧化物层与氧化铪基铁电层复合形成复合铁电薄膜，异质氧化物层作为异质界面的引入使得所述复合铁电薄膜具有更好的循环稳定性。相比于单纯的氧化铪基铁电薄膜，所述复合铁电薄膜的循环稳定性提升了2～3个数量级。
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公开(公告)号：CN117986016A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410005934.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B41/89 , H01G4/33
Abstract: 本发明提供了一种反铁电材料及其制备方法、薄膜电容器，该反铁电材料的化学式为Pb1‑xSrxZrO3，其中0.4≤x≤0.6；所述反铁电材料具有偶极子无序排列特征。本发明的技术方案的反铁电材料相界面附近的偶极子排列完全无序，这种混乱的偶极子排布能够有效降低反铁电PbZrO3的晶格畸变，减少缺陷密度，能够有效抑制漏电流和减小介电损耗，极大地提高薄膜的本征击穿场。采用该反铁电材料制备的薄膜电容器，具有更高的击穿场强(最高可达6.5MV/cm)、储能密度与效率，最大储能密度可达125J/cm3，效率为83％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117915761A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311658482.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种反铁电热开关原型器件，所述反铁电热开关原型器件采用反铁电材料制备得到。所述反铁电热开关原型器件包括：(111)取向的外延薄膜；所述(111)取向的外延薄膜由底电极层和沉积在所述底电极层表面的反铁电材料层构成。(111)取向的外延薄膜制备方法包括：提供(111)取向的衬底；将第一靶材沉积在所述衬底表面，得到导电层；将第二靶材沉积在所述导电层的表面，得到异质结，经退火处理，在所述衬底的表面形成所述(111)取向的外延薄膜。通过控制外延薄膜的生长取向，使所获得的反铁电材料(外延薄膜)具有大开关比、响应时间短、开关次数多、调控电压低的特性。该制备方法简单，制备过程可控。
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公开(公告)号：CN114107913A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111225726.1
申请日：2021-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO)，其借助各序参量之间的耦合效应有潜力实现更为丰富、新颖的物理特征；然后，以L5BO高熵金属氧化物陶瓷靶材，借助脉冲激光沉积技术在SrTiO3(STO)单晶衬底上生长L5BO薄膜。本发明得到质量良好的单晶高熵钙钛矿型氧化物外延薄膜。本发明首次在单晶纯相的氧化物外延薄膜中实现磁滞回线在垂直方向的位移调控，在磁性器件中有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113782755A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110939462.X
申请日：2021-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01M4/90
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，具体公开了一种双功能催化剂及其制备方法、及金属空气电池。所述双功能催化剂的制备方法包括S1：将多种金属材料按比例熔炼以获得合金体，所述多种金属材料包括铝、钴、铁、X1、X2，其中所述X1选自铬、镍、钼中的任意两种或三种，所述X2选自铂、钯、金、银、铜中的一种或多种；S2：将所述合金体快速冷却；S3：将快速冷却的合金体置于碱性溶液中进行去合金化处理以获得所述双功能催化剂。
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公开(公告)号：CN114107913B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111225726.1
申请日：2021-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO)，其借助各序参量之间的耦合效应有潜力实现更为丰富、新颖的物理特征；然后，以L5BO高熵金属氧化物陶瓷靶材，借助脉冲激光沉积技术在SrTiO3(STO)单晶衬底上生长L5BO薄膜。本发明得到质量良好的单晶高熵钙钛矿型氧化物外延薄膜。本发明首次在单晶纯相的氧化物外延薄膜中实现磁滞回线在垂直方向的位移调控，在磁性器件中有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115386849B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202211021393.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种二维自支撑金属材料及其制备方法、及应变传感器，该二维自支撑金属材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，衬底上依次沉积牺牲层和二维金属膜层；步骤S2，将步骤S1得到的材料置于刻蚀溶液中，所述刻蚀溶液选择性刻蚀牺牲层，并保留最外层的二维金属膜层，所述二维金属膜层在刻蚀溶液的表面张力作用下漂浮于所述刻蚀溶液的表面；步骤S3，将漂浮的二维金属膜层转移到其他衬底上。采用本发明的技术方案，先自下而上生长高质量的牺牲层和二维金属层薄膜，然后通过自上而下方法，选择性刻蚀牺牲层，获得了较完整的自支撑二维金属材料，解决了已有技术超薄金属膜难以合成的问题，以及不能兼具大尺寸和厚度可控合成的问题。
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