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公开(公告)号：CN115386849B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202211021393.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种二维自支撑金属材料及其制备方法、及应变传感器，该二维自支撑金属材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，衬底上依次沉积牺牲层和二维金属膜层；步骤S2，将步骤S1得到的材料置于刻蚀溶液中，所述刻蚀溶液选择性刻蚀牺牲层，并保留最外层的二维金属膜层，所述二维金属膜层在刻蚀溶液的表面张力作用下漂浮于所述刻蚀溶液的表面；步骤S3，将漂浮的二维金属膜层转移到其他衬底上。采用本发明的技术方案，先自下而上生长高质量的牺牲层和二维金属层薄膜，然后通过自上而下方法，选择性刻蚀牺牲层，获得了较完整的自支撑二维金属材料，解决了已有技术超薄金属膜难以合成的问题，以及不能兼具大尺寸和厚度可控合成的问题。
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公开(公告)号：CN115506009A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211083022.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火。采用本发明的技术方案，通过调控外延生长时的气氛，实现氮元素的掺杂，无需选择特定的靶材即可实现掺杂氧化物薄膜的制备，方法简便有效；不涉及薄膜的二次处理，不会对已制备的高质量薄膜造成破坏。
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公开(公告)号：CN115386849A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211021393.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种二维自支撑金属材料及其制备方法、及应变传感器，该二维自支撑金属材料的制备方法包括如下步骤：步骤S1，衬底上依次沉积牺牲层和二维金属膜层；步骤S2，将步骤S1得到的材料置于刻蚀溶液中，所述刻蚀溶液选择性刻蚀牺牲层，并保留最外层的二维金属膜层，所述二维金属膜层在刻蚀溶液的表面张力作用下漂浮于所述刻蚀溶液的表面；步骤S3，将漂浮的二维金属膜层转移到其他衬底上。采用本发明的技术方案，先自下而上生长高质量的牺牲层和二维金属层薄膜，然后通过自上而下方法，选择性刻蚀牺牲层，获得了较完整的自支撑二维金属材料，解决了已有技术超薄金属膜难以合成的问题，以及不能兼具大尺寸和厚度可控合成的问题。
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公开(公告)号：CN115506009B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211083022.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火。采用本发明的技术方案，通过调控外延生长时的气氛，实现氮元素的掺杂，无需选择特定的靶材即可实现掺杂氧化物薄膜的制备，方法简便有效；不涉及薄膜的二次处理，不会对已制备的高质量薄膜造成破坏。
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