公开(公告)号：CN120060971A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510526067.7

申请日：2025-04-25

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 魏军 ,  任忠琪 ,  陈祖煌 ,  于素竹

IPC: C30B29/22 ,  H10N30/853 ,  C30B29/32 ,  C30B29/24 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  C30B33/10

Abstract: 本申请属于薄膜制造技术领域，尤其涉及一种自支撑单晶氧化物薄膜及其制备方法，柔性电子器件。包括步骤：根据氧化物材料的晶格常数配制牺牲层材料，使所述牺牲层材料与所述氧化物材料的晶格失配率不高于1.7%；获取单晶衬底，将牺牲层材料与氧化物材料在单晶衬底表面制成依次叠层设置的牺牲层和单晶氧化物层；刻蚀去除牺牲层，得到自支撑单晶氧化物薄膜。由于牺牲层与单晶氧化物层的晶格参数匹配度高，减少了牺牲层和单晶氧化物层的晶格失配，能够实现单晶氧化物层的无损剥离，保证自支撑单晶氧化物薄膜的完整性，并保持自支撑单晶氧化物薄膜的优异性能，获得柔性化的自支撑单晶氧化物薄膜，适于应用到柔性电子器件中。