公开(公告)号：CN119647380A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726740.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  林轩羽 ,  田济羽 ,  陈昊 ,  陈岑 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06N3/096

Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。

公开(公告)号：CN119846415A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411922366.4

申请日：2024-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  孔维轩 ,  王辰一 ,  王浩东 ,  寇雅婷 ,  张东 ,  翟国富

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/36 ,  H02H3/20 ,  G06N3/0442

Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试及参数特征分析平台，包括硬件平台和软件平台，其中：硬件平台包括控制单元、自动化驱动单元、智能数据单元、隔离单元和元件测试单元；控制单元包括上位机控制模块、串口通信传输模块和以太网通信传输模块；自动化驱动单元包括MCU控制模块、ADC模块、采样模块、过压保护模块、GPIO模块和驱动模块；智能数据单元包括数据采集模块、数据处理模块和数据处理模块；隔离单元包括信号隔离模块和驱动隔离模块；软件平台包括MCU控制程序和上位机程序。本发明能够实现自动化双脉冲测试及参数特征深度分析，并可视化相应的分析结果，极大地提高了双脉冲测试效率和测试可靠性。

公开(公告)号：CN118091349B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311854187.7

申请日：2023-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王浩东 ,  于德润 ,  张博亚 ,  李小宛孺 ,  王辰一 ,  张东 ,  王明阳 ,  翟国富

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/01 ,  G01R1/04 ,  G05D3/20

Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置，涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台，控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器，测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针，测试探针随三轴运动模组位移以改变位置，PLC控制程序控制三轴运动模组的动作，上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试，同时连接PLC控制程序发送控制指令，上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作，自动化程度高。

公开(公告)号：CN119647381A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726742.2

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  周振宁 ,  张天翼 ,  陈岑 ,  陈昊 ,  郑伟 ,  高晓颖 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F119/14 ,  G06F119/04

Abstract: 一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法，属于MOS场效应管性能与可靠性分析技术领域。为了解决现有的MOS场效应管失效物理建模方案未曾考虑性能参数退化过程以及退化模型中的模型系数存在无法反映批次产品一致性的问题，本发明首先根据MOS场效应管的典型失效机理，确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式，开展MOS场效应管多应力加速试验设计并试验得到加速试验结果，采用基于Copula的多参数相关性方法，计算失效物理模型系数，得到电子元器件失效物理模型，进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。最后根据考虑质量一致性的失效物理模型进行估计。

公开(公告)号：CN118091349A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311854187.7

申请日：2023-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王浩东 ,  于德润 ,  张博亚 ,  李小宛孺 ,  王辰一 ,  张东 ,  王明阳 ,  翟国富

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/01 ,  G01R1/04 ,  G05D3/20

Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置，涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台，控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器，测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针，测试探针随三轴运动模组位移以改变位置，PLC控制程序控制三轴运动模组的动作，上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试，同时连接PLC控制程序发送控制指令，上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作，自动化程度高。