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公开(公告)号：CN119846415A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411922366.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , H02H3/20 , G06N3/0442
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试及参数特征分析平台，包括硬件平台和软件平台，其中：硬件平台包括控制单元、自动化驱动单元、智能数据单元、隔离单元和元件测试单元；控制单元包括上位机控制模块、串口通信传输模块和以太网通信传输模块；自动化驱动单元包括MCU控制模块、ADC模块、采样模块、过压保护模块、GPIO模块和驱动模块；智能数据单元包括数据采集模块、数据处理模块和数据处理模块；隔离单元包括信号隔离模块和驱动隔离模块；软件平台包括MCU控制程序和上位机程序。本发明能够实现自动化双脉冲测试及参数特征深度分析，并可视化相应的分析结果，极大地提高了双脉冲测试效率和测试可靠性。
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公开(公告)号：CN118091349B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311854187.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置，涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台，控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器，测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针，测试探针随三轴运动模组位移以改变位置，PLC控制程序控制三轴运动模组的动作，上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试，同时连接PLC控制程序发送控制指令，上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN114792053A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210459927.6
申请日：2022-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 一种基于初值‑速率相关退化模型的可靠性评估方法，涉及一种可靠性评估方法。对电子元器件产品开展退化试验，采集退化数据；针对产品的特征参数建立考虑初值与退化速率相关性的退化模型；建立退化模型对应的对数似然函数，确定退化模型中的时间尺度函数形式，并利用极大似然方法估计退化模型中的待定参数；将待定参数估计值代入可靠度函数解析式，得到可靠度函数实现对产品的可靠性评估。将性能参数初值与退化速率的相关性引入电子元器件产品的可靠性评估当中，能够有效提高评估结果的准确度。
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公开(公告)号：CN113094923A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110438353.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 考虑多源不确定性的多参数相关退化产品可靠性评估方法，属于产品性能退化建模与可靠性评估技术领域。方法是：分析产品的任务剖面和失效机理，设计加速退化试验，并对产品的多元性能参数进行测量；针对单一性能参数的退化数据，建立同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的边缘退化模型，并在给定失效阈值的情况下，推导失效概率密度函数和失效分布函数的近似解析形式；利用Copula函数建立各性能参数的联合失效分布函数；利用极大似然估计得到各边缘退化模型及Copula函数中的未知参数集合，实现产品可靠性评估。本发明解决了现有的多参数相关退化模型中尚未同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的影响，进而导致可靠性评估结果缺乏合理性的问题。
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公开(公告)号：CN119397762A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411445991.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种交变栅极驱动下SiC MOSFET的加速退化模型，所述模型以栅极负偏置电压、结温、栅极电压上升时间多个应力以及开关次数为输入，以阈值电压变化量为输出，解决了SiC MOSFET在交流BTI下的阈值电压漂移预测不准确的问题，可用于描述交变栅极驱动模式下SiC MOSFET阈值电压退化规律。本发明能够反映SiC MOSFET器件长期使用过程中的关键性能参数变化规律，对于准确评价、优化提升器件使用可靠性具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118091349A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311854187.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于退化试验的功率半导体器件批量测试装置，涉及功率半导体器件测试技术领域。运动单元采用三轴运动模组并设置承载平台，控制单元包括PLC控制器以及交流伺服驱动器，测试单元包括分析仪及与其测试端连接并引向外部的测试探针，测试探针随三轴运动模组位移以改变位置，PLC控制程序控制三轴运动模组的动作，上位机程序连接分析仪实现功率半导体器件的性能参数测试，同时连接PLC控制程序发送控制指令，上位机程序中电压/电流扫描范围、测试步长和扫描范围偏差的计算具有自适应能力。能够完成批量功率半导体器件的参数测试工作，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN107800292A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711140551.8
申请日：2017-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 串联能量存储装置的均压电路及含有该电路的均压系统，涉及大规模串联储能单体电压均衡技术领域。本发明是为了解决现有储能单体均衡技术存在模块化程度低、均衡速度慢的问题。串联能量存储装置的均压电路，每个储能单体的两端并联有一个一次侧绕组，多绕组变压器的二次侧绕组与能量存储装置串联成闭合回路，i个一次侧绕组的匝数均相同；储能单体与一次侧绕组之间通过一个开关电路控制储能单体的充、放电，所有开关电路的驱动信号均相同。m个均压电路之间采用m个级联的半桥变换器和1个Boost变换器实现电路之间的电压均衡。
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公开(公告)号：CN113094923B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110438353.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 考虑多源不确定性的多参数相关退化产品可靠性评估方法，属于产品性能退化建模与可靠性评估技术领域。方法是：分析产品的任务剖面和失效机理，设计加速退化试验，并对产品的多元性能参数进行测量；针对单一性能参数的退化数据，建立同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的边缘退化模型，并在给定失效阈值的情况下，推导失效概率密度函数和失效分布函数的近似解析形式；利用Copula函数建立各性能参数的联合失效分布函数；利用极大似然估计得到各边缘退化模型及Copula函数中的未知参数集合，实现产品可靠性评估。本发明解决了现有的多参数相关退化模型中尚未同时考虑多源不确定性和退化过程非线性的影响，进而导致可靠性评估结果缺乏合理性的问题。
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公开(公告)号：CN113255128A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110560012.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/08 , G06F119/04
Abstract: 一种考虑产品分散性的退化机理辨识方法，属于产品加速退化试验领域。该方法首先以Wiener过程为基础，建立考虑产品分散性的退化模型。其次，基于失效激活能不变法，分别建立产品退化机理相同和退化机理变化时对应的对数似然函数。然后，利用加速退化试验数据，应用极大似然估计方法得到上述对数似然函数对应的极大似然函数值。最后，基于似然比检验方法，建立退化机理辨识准测，给出退化机理辨识结果。该方法充分考虑产品退化过程的分散性，能够在已有退化数据的基础上，快速、准确地给出产品退化机理辨识结果。
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公开(公告)号：CN107800292B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201711140551.8
申请日：2017-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 串联能量存储装置的均压电路及含有该电路的均压系统，涉及大规模串联储能单体电压均衡技术领域。本发明是为了解决现有储能单体均衡技术存在模块化程度低、均衡速度慢的问题。串联能量存储装置的均压电路，每个储能单体的两端并联有一个一次侧绕组，多绕组变压器的二次侧绕组与能量存储装置串联成闭合回路，i个一次侧绕组的匝数均相同；储能单体与一次侧绕组之间通过一个开关电路控制储能单体的充、放电，所有开关电路的驱动信号均相同。m个均压电路之间采用m个级联的半桥变换器和1个Boost变换器实现电路之间的电压均衡。
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