公开(公告)号：CN119846416A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411971051.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王梓丞 ,  王明阳 ,  鲁博航 ,  魏俊平 ,  李志豪 ,  郭毅 ,  寇雅婷 ,  翟国富

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，所述方法如下：S1：设置开关应力参数：开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R；S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线提取电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线；S3：将提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。该方法能够有效解决传统提取技术中，提取转移特性曲线前需要复杂的预处理以及提取过程中存在测量延迟的问题，显著提升测量精准度。

公开(公告)号：CN119397762A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411445991.4

申请日：2024-10-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王梓丞 ,  张东 ,  林轩羽 ,  王明阳 ,  于静宇 ,  鲁博航 ,  翟国富

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种交变栅极驱动下SiC MOSFET的加速退化模型，所述模型以栅极负偏置电压、结温、栅极电压上升时间多个应力以及开关次数为输入，以阈值电压变化量为输出，解决了SiC MOSFET在交流BTI下的阈值电压漂移预测不准确的问题，可用于描述交变栅极驱动模式下SiC MOSFET阈值电压退化规律。本发明能够反映SiC MOSFET器件长期使用过程中的关键性能参数变化规律，对于准确评价、优化提升器件使用可靠性具有重要意义。