公开(公告)号：CN119397762A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411445991.4

申请日：2024-10-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王梓丞 ,  张东 ,  林轩羽 ,  王明阳 ,  于静宇 ,  鲁博航 ,  翟国富

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种交变栅极驱动下SiC MOSFET的加速退化模型，所述模型以栅极负偏置电压、结温、栅极电压上升时间多个应力以及开关次数为输入，以阈值电压变化量为输出，解决了SiC MOSFET在交流BTI下的阈值电压漂移预测不准确的问题，可用于描述交变栅极驱动模式下SiC MOSFET阈值电压退化规律。本发明能够反映SiC MOSFET器件长期使用过程中的关键性能参数变化规律，对于准确评价、优化提升器件使用可靠性具有重要意义。

公开(公告)号：CN119692117A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411829483.6

申请日：2024-12-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  孙祺森 ,  魏俊平 ,  林轩羽 ,  周振宁 ,  陈岑 ,  陈昊

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种小样本量下电子设备性能退化预计准确度评估方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、考虑电子设备内元器件最高使用温度，结合电子设备热仿真模型设计试验温度；步骤S2、考虑测量误差，确定试验最短时长；步骤S3、结合性能退化预计结果，考虑退化分散性设计试验样本量；步骤S4、开展热应力加速退化试验，获得电子设备性能退化数据；步骤S5、计算电子设备性能退化预计误差区间。能够在样本量有限的条件下有效评估性能退化预计准确度，降低试验成本，提高评估严谨性。

公开(公告)号：CN119647380A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726740.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  林轩羽 ,  田济羽 ,  陈昊 ,  陈岑 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06N3/096

Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。