公开(公告)号：CN119647381A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726742.2

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  周振宁 ,  张天翼 ,  陈岑 ,  陈昊 ,  郑伟 ,  高晓颖 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F119/14 ,  G06F119/04

Abstract: 一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法，属于MOS场效应管性能与可靠性分析技术领域。为了解决现有的MOS场效应管失效物理建模方案未曾考虑性能参数退化过程以及退化模型中的模型系数存在无法反映批次产品一致性的问题，本发明首先根据MOS场效应管的典型失效机理，确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式，开展MOS场效应管多应力加速试验设计并试验得到加速试验结果，采用基于Copula的多参数相关性方法，计算失效物理模型系数，得到电子元器件失效物理模型，进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。最后根据考虑质量一致性的失效物理模型进行估计。