公开(公告)号：CN118033292A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410334832.0

申请日：2024-03-22

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  刘斌 ,  李方喆 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐 ,  田晶鑫 ,  唐晓慧 ,  孙少杰 ,  周玉

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R1/04

摘要： 一种小试样低温电学性能测试台，它涉及一种材料电学性能测试的低温台。本发明的目的是要解决现有方法无法测试厚度薄且尺寸小功能陶瓷的电卡效应的电学低温测试数据的问题。一种小试样低温电学性能测试台，包括控温系统和待测样品测试系统；所述的控温系统包括装配下底座、装配竖板、氮气输入孔、穿线孔、斜方出气孔、操作台外罩、操作台出气孔、热电偶插入口、装配上盖板、内部封闭保温液氮桶、多层哑铃状导热结构、导热连接杆、带有凹槽的板状铜块和操作台空腔上盖；所述的待测样品测试系统包括摇杆式探针和转接架定线器。本发明的优势在于适用于厚度低至0.05mm、低温时耐受电场可达33kV/cm、强度承受外力10N以下的样品测试。

公开(公告)号：CN106747423B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

摘要： 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。

公开(公告)号：CN105218076A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510560733.5

申请日：2015-09-06

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  王猛 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  应鹏展 ,  谢星驰 ,  罗蕙佳代

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/624

摘要： 一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法，它涉及单相磁电陶瓷材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备纯相SrMnO3陶瓷粉体存在晶化温度高，颗粒分布不均匀，需要高温高压的复杂反应条件和成本高等问题。方法：一、制备溶液A；二、制备溶液B；三、制备SrMnO3溶胶；四、制备干凝胶；五、研磨、煅烧，再随炉自然冷却至室温，得到SrMnO3陶瓷粉体。优点：本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体杂质较少、纯度高；SrMnO3陶瓷粉体的产量为90％～95％；本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体与现有技术相比，成本降低了40％～50％。本发明可获得一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法。

公开(公告)号：CN101550027A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910071933.9

申请日：2009-04-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 冯明 ,  王文 ,  周玉 ,  柯华

IPC分类号： C04B41/50 ,  C04B35/499 ,  C04B35/472

摘要： 一种铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的制备方法，它涉及一种铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜铁电性能差、电光学性能差、纯度低、致密度低及在制备过程中烧结温度高的问题。方法：一、称取原材料；二、制溶液A；三、制溶液B；四、制溶液C；五、制(1－x)Pb(Mg1/3Nb2/3)－xPbTiO3溶胶；六、将基片预处理；七、利用匀胶机将溶胶涂覆到基片上，然后烘干制薄膜D；八、将薄膜D在快速热处理炉中焙烧，然后冷却至室温即得到PMN－PT铁电薄膜。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的铁电性能及电光学性能，高纯度、高密度和较低的晶化温度，本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。

公开(公告)号：CN101376598A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810137246.8

申请日：2008-09-28

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  徐加焕 ,  王文 ,  陈林 ,  贾德昌

IPC分类号： C04B41/50

摘要： 一种(020)择优取向钛酸铋薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜材料的制备工艺。它解决现有技术中制备Bi4－xLaxTi3O12薄膜工艺复杂、结晶温度高、表面粗糙、无择优取向性、铁电性能差、致密度低和颗粒分布不均的问题。制备方法：将硝酸镧和次硝酸铋溶于醋酸中，加入乙二醇溶液后，与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi4－xLaxTi3O12溶胶，然后将此溶胶旋涂到清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上，干燥、焙烧，晶化热处理后得Bi4－xLaxTi3O12薄膜。本发明Bi4－xLaxTi3O12薄膜的制备成膜质量高、结晶温度低、呈现(020)择优取向、有利于提高铁电性能、成本低、工艺简单、适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN101269957A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810064497.8

申请日：2008-05-14

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 王文 ,  肖立华 ,  杨高强 ,  孟庆昌 ,  柯华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜的低温光辐照制备方法，它涉及稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备的钛酸铋铁电薄膜的抗疲劳特性差、剩余极化值小、储存的可靠性低以及在晶化过程中晶化温度过高等问题。该制备方法由制备稀土掺杂钛酸铋前驱体溶胶和溶胶制模两部分组成。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的抗疲劳特性、较大的极化强度、较高的储存可靠性和较低的晶化温度，本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。

公开(公告)号：CN110668809A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911003631.8

申请日：2019-10-21

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 张洪军 ,  吴春龙 ,  柯华 ,  李方喆 ,  田晶鑫 ,  唐晓慧 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01

摘要： 一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法，它涉及一种铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷漏电流大的问题。方法：一、制备BaTiO3膜；二、制备BaTi1-xFexO3膜；三、裁切；四、叠层；五、热压；六、排胶；七、等静压；八、烧结，得到到层状结构BaTiO3/BaTi1-xFexO3/BaTiO3磁电陶瓷，即为层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。本发明制备的钛酸钡基磁电陶瓷在引入磁性元素的同时，很好的保留了原有的铁电性能，其漏电流小于同成分的用其他方法制备的陶瓷块体。本发明可获得一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。

公开(公告)号：CN109704765A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910172463.9

申请日：2019-03-07

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  李方喆 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495

摘要： 具有准同型晶相结构的高致密化铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种高致密化铁电陶瓷及其制备方法。是要解决现有方法制备多晶多铁性陶瓷致密化低、极化小及磁电耦合实现困难的问题。该高致密化铁电陶瓷的通式是：Bi1-xRxFe1-yByO3。方法：一、Bi1-xRxFe1-yByO3纯相粉体的制备；二、将陶瓷粉体研磨，造粒，得造粒后的粉体；三、将造粒后的粉体烘干，预压成形，排胶，制备陶瓷素坯；四、制备Bi1-xRxFe1-yByO3陶瓷块体。该铁电陶瓷的晶粒尺寸细小，相对致密度高达95％～97％，具有均匀的铁电、反铁电、顺电三种相结构。陶瓷的铁电极化得到显著改善。本发明应用于铁电陶瓷领域。

公开(公告)号：CN105601264B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201511029341.2

申请日：2015-12-30

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  王猛 ,  罗蕙佳代 ,  应鹏展

IPC分类号： C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

摘要： 一种高致密化多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1‑xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。

公开(公告)号：CN106747423A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

摘要： 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。