公开(公告)号：CN105601264A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511029341.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  王猛 ,  罗蕙佳代 ,  应鹏展

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/2675 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/77

Abstract: 一种高致密化多铁性(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1-xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。

公开(公告)号：CN103588474A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310572199.0

申请日：2013-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  莫然 ,  王文 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法，它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤：一、制备溶胶A；二、制备溶液B；三、制备溶胶C；四、制备溶胶D；五、滴加、搅拌；六、干燥；七：煅烧；八、研磨；九、烧结。优点：一、本发明被包覆相分布均匀，包覆效果好；二、本发明烧结温度低，杂质少，制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别；三、本发明易于操作，降低了30%～50%成本；四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相，铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。

公开(公告)号：CN106673645B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。

公开(公告)号：CN105218076B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201510560733.5

申请日：2015-09-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  王猛 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  应鹏展 ,  谢星驰 ,  罗蕙佳代

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/624

Abstract: 一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法，它涉及单相磁电陶瓷材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备纯相SrMnO3陶瓷粉体存在晶化温度高，颗粒分布不均匀，需要高温高压的复杂反应条件和成本高等问题。方法：一、制备溶液A；二、制备溶液B；三、制备SrMnO3溶胶；四、制备干凝胶；五、研磨、煅烧，再随炉自然冷却至室温，得到SrMnO3陶瓷粉体。优点：本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体杂质较少、纯度高；SrMnO3陶瓷粉体的产量为90％～95％；本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体与现有技术相比，成本降低了40％～50％。本发明可获得一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法。

公开(公告)号：CN106673645A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710074964.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  李方喆 ,  张洪军 ,  罗蕙佳代 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  张利伟 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/624

Abstract: 一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法，涉及一种镶嵌结构的多铁性复相陶瓷的制备方法。本发明是为了解决目前的复相多铁材料比单相多铁材料高出多个数量级的漏电流的技术问题。本发明：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶胶E；六、制备混合溶胶F；七、烘干；八、煅烧；九、研磨；十、造粒；十一、压片；十二、排胶；十三、烧结。本发明的优点：本发明可获得具有镶嵌结构的多铁性复相陶瓷，其漏电流小于0‑3、1‑3、2‑2型多铁性复相陶瓷。本发明应用于制备多铁性复相陶瓷。

公开(公告)号：CN104529436B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510032959.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  王猛 ,  应鹏展 ,  谢星驰 ,  罗蕙佳代

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备方法，本发明涉及铁电陶瓷领域。本发明要解决现有掺钕的钛酸铋的制备方法存在产物杂质相多，致密度低，铁电性差的问题。制备方法：将次硝酸铋和硝酸钕溶于醋酸中，加入乙二醇溶液后，与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi3.15Nd0.85Ti3O12溶胶，将溶胶干燥，研磨，焙烧，晶化后得Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米粉体，将纳米粉体填装于高强石墨制成的模具中，在氩气保护气氛下，单向加压，高温烧结制得高致密度的铁电陶瓷。本发明用于一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN103588474B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310572199.0

申请日：2013-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  莫然 ,  王文 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: H01F1/10 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法，它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤：一、制备溶胶A；二、制备溶液B；三、制备溶胶C；四、制备溶胶D；五、滴加、搅拌；六、干燥；七：煅烧；八、研磨；九、烧结。优点：一、本发明被包覆相分布均匀，包覆效果好；二、本发明烧结温度低，杂质少，制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别；三、本发明易于操作，降低了30%～50%成本；四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相，铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。

公开(公告)号：CN109704765A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910172463.9

申请日：2019-03-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  李方喆 ,  罗蕙佳代 ,  曹璐

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495

Abstract: 具有准同型晶相结构的高致密化铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种高致密化铁电陶瓷及其制备方法。是要解决现有方法制备多晶多铁性陶瓷致密化低、极化小及磁电耦合实现困难的问题。该高致密化铁电陶瓷的通式是：Bi1-xRxFe1-yByO3。方法：一、Bi1-xRxFe1-yByO3纯相粉体的制备；二、将陶瓷粉体研磨，造粒，得造粒后的粉体；三、将造粒后的粉体烘干，预压成形，排胶，制备陶瓷素坯；四、制备Bi1-xRxFe1-yByO3陶瓷块体。该铁电陶瓷的晶粒尺寸细小，相对致密度高达95％～97％，具有均匀的铁电、反铁电、顺电三种相结构。陶瓷的铁电极化得到显著改善。本发明应用于铁电陶瓷领域。

公开(公告)号：CN105601264B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201511029341.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  王猛 ,  罗蕙佳代 ,  应鹏展

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 一种高致密化多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1‑xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。

公开(公告)号：CN106747423A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710074301.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  罗蕙佳代 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  李方喆 ,  周俊杰 ,  曹璐 ,  应鹏展 ,  刘爽 ,  李谢凝

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025；制备方法：一、制备溶胶A；二、制备溶胶B；三、制备溶液C；四、制备溶胶D；五、制备溶液E；六、滴加、搅拌；七、干燥；八、煅烧；九、研磨；十、烧结。本发明制备单相NBT基反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。