一种光热转化能力可随环境温度变化的复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN108546458B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201810475858.1

    申请日:2018-05-17

    Abstract: 一种光热转化能力可随环境温度变化的复合涂层及其制备方法,属于建筑涂料制备技术领域。所述的复合涂层由底层涂层和表层涂层组成;所述的底层涂层的原料含有高发射率/高热膨胀率粉体,表层涂层的原料含有低发射率/低热膨胀率粉体。方法如下:准备两份等量的涂料胶体,其中一份加入高发射率/高热膨胀率粉体,另一份加入低发射率/低热膨胀率粉体,分别加入水,即制备得到两种涂料;在墙体上先均匀涂抹底层涂料,形成底层涂层,待底层涂层成膜后,再涂刷表层涂料,形成表层涂层。本发明所采用粉体皆为价廉易得的材料,只需将原材料以适当比例掺混后涂刷及喷涂即可成型,即通过一定形式的技术组合即可实现节能的目的。

    一种基于三聚氰胺的BN/C微纳米复合吸波材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109320247A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811425888.8

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本发明提出一种基于三聚氰胺的BN/C微纳米复合吸波材料的制备方法,包括步骤1、将干燥的三聚氰胺、硼酸、GNFs/CNTs和分散剂加入去离子水中制成混合液;三聚氰胺的摩尔百分数为10%~20%,硼酸的摩尔百分数为20%~40%,GNFs/CNTs的摩尔百分数为40%~70%,三聚氰胺和硼酸的摩尔比为1:2;步骤2、将盛有混合液的容器在85℃~95℃下水浴搅拌4h~6h,搅拌停止后,将上述容器从水浴锅中拿出静置至室温并放置15h以上;步骤3、将混合液进行抽滤,之后在85℃~95℃下干燥得到先驱体;步骤4、将先驱体置于刚玉舟中,在保护气体环境下进行烧结,烧结温度为950℃~1050℃,在保护气体环境下保持该温度4h~6h,即可得到BN/C微纳米复合吸波材料。通过该方法制备的复合吸波材料具有良好的吸波性能。

    一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN104529436A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201510032959.8

    申请日:2015-01-22

    Abstract: 一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备方法,本发明涉及铁电陶瓷领域。本发明要解决现有掺钕的钛酸铋的制备方法存在产物杂质相多,致密度低,铁电性差的问题。制备方法:将次硝酸铋和硝酸钕溶于醋酸中,加入乙二醇溶液后,与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi3.15Nd0.85Ti3O12溶胶,将溶胶干燥,研磨,焙烧,晶化后得Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米粉体,将纳米粉体填装于高强石墨制成的模具中,在氩气保护气氛下,单向加压,高温烧结制得高致密度的铁电陶瓷。本发明用于一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备。

    一种基于二次神经元的地震相干噪声压制方法

    公开(公告)号:CN118169757A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410313194.4

    申请日:2024-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于二次神经元的地震相干噪声压制方法,属于地震数据处理技术领域。解决了现有技术中传统的地震数据噪声压制方法需要先验假设的问题;本发明包括以下步骤:S1.构建二次神经元结构作为建立人工神经网络模型的基本单元;S2.采用二次神经元结构建立人工神经网络模型;S3.采用基于模型参数梯度的Adam优化算法对人工神经网络模型进行训练,得到训练好的模型。本发明构建的二次卷积神经网络模型具有相较于传统线性神经网络更强大的表达能力,提高了地震数据相干噪声的压制效果,且相较于传统线性神经网络在拟合误差相近的情况下,本发明具有更少的参数量,泛化能力更强,计算效率更高;本发明适用于地震数据去噪任务。

    一种AlN纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN109264678A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811240967.1

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明提出一种AlN纳米线的制备方法,包括步骤1、混料:将Ti粉、Al粉和C粉进行混合;步骤2、研磨:在球磨罐中加入研磨球,将步骤1所得原料放入球磨罐中,在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住,把球磨罐放入球磨机中固定,湿磨8h~12h;步骤3、烘干:将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干,烘干温度为50℃~60℃;步骤4、过筛:将烘干后的物质进行过筛,以将研磨球与原料进行分离;步骤5、烧结与取料:将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结,烧结温度达到1300℃或以上时,保持该温度0.5h~4h,通过气相沉积法制备AlN纳米线,当温度下降后,即可取出烧结产物,即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶,其直径范围在100-200nm,长度范围以5-10μm居多。

    一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法

    公开(公告)号:CN105218076A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510560733.5

    申请日:2015-09-06

    Abstract: 一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法,它涉及单相磁电陶瓷材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备纯相SrMnO3陶瓷粉体存在晶化温度高,颗粒分布不均匀,需要高温高压的复杂反应条件和成本高等问题。方法:一、制备溶液A;二、制备溶液B;三、制备SrMnO3溶胶;四、制备干凝胶;五、研磨、煅烧,再随炉自然冷却至室温,得到SrMnO3陶瓷粉体。优点:本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体杂质较少、纯度高;SrMnO3陶瓷粉体的产量为90%~95%;本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体与现有技术相比,成本降低了40%~50%。本发明可获得一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法。

    磷化锗锌单晶生长的方法

    公开(公告)号:CN101235542B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200710144599.6

    申请日:2007-11-14

    Abstract: 磷化锗锌单晶生长的方法,它涉及磷化锗锌晶体生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行:一、定量;二、升温;三、坩埚下降、降温;即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行:一、定量;二、升温;三、坩埚下降、降温;即得磷化锗锌单晶。本发明单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。

    磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法

    公开(公告)号:CN101235542A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200710144599.6

    申请日:2007-11-14

    Abstract: 磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法,它涉及磷化锗锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题,磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌多晶合成按如下步骤进行:1.定量;2.升温;即得到磷化锗锌多晶料。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行:1.定量;2.升温;3.坩埚下降、降温;即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行:1.定量;2.升温;3.坩埚下降、降温;即得磷化锗锌单晶。本发明多晶的合成具有合成速率高的优点,单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。

Patent Agency Ranking