多温区防爆式多晶体合成装置及其方法

    公开(公告)号:CN101092753A

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200710072455.4

    申请日:2007-07-04

    Abstract: 多温区防爆式多晶体合成装置及其方法。它涉及多晶体合成装置及其方法。它解决了温场精细调节,蒸气压过大,造成炉体受损的问题。外壁内有保温层,耐高温不锈钢管贯穿炉体,其两端固定保护帽,监测热电偶插固于保护帽上,监测热电偶参比端连显示装置输入端,炉体轴向上分布有控温组件,石英管放耐高温不锈钢管内。方法步骤如下:一、原料放入石英管两端;二、组装设备;三、一次加温,一温区一设定值<二温区一设定值;二次加温,二温区二设定值=二温区一设定值,一温区二设定值≥二温区一设定值,直至反应充分;四、冷却。所述装置温场可精细调节,稳定性好,纯度高。合成为两个阶段,产生高压气体的原料在阶段一已大量反应消耗,避免石英管爆裂。

    重掺抗光损伤元素的Er-LiNbO3晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101555625A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200910071889.1

    申请日:2009-04-27

    Abstract: 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er-LiNbO3晶体。以99.99wt%APE、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5和99.99wt%LiCO3为基础原料,APE包括ZnO、In2O3和ZrO2,ZnO的掺杂量为6~8mol%,In2O3的掺杂量为1.5~3mol%,ZrO2的掺杂量为4~8mol%,Er2O3的掺杂量为0.5~2mol%,Li/Nb摩尔比=0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍,抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单,便于操作。

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