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公开(公告)号:CN118033292A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410334832.0
申请日:2024-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种小试样低温电学性能测试台,它涉及一种材料电学性能测试的低温台。本发明的目的是要解决现有方法无法测试厚度薄且尺寸小功能陶瓷的电卡效应的电学低温测试数据的问题。一种小试样低温电学性能测试台,包括控温系统和待测样品测试系统;所述的控温系统包括装配下底座、装配竖板、氮气输入孔、穿线孔、斜方出气孔、操作台外罩、操作台出气孔、热电偶插入口、装配上盖板、内部封闭保温液氮桶、多层哑铃状导热结构、导热连接杆、带有凹槽的板状铜块和操作台空腔上盖;所述的待测样品测试系统包括摇杆式探针和转接架定线器。本发明的优势在于适用于厚度低至0.05mm、低温时耐受电场可达33kV/cm、强度承受外力10N以下的样品测试。
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公开(公告)号:CN114591715B
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202011391709.0
申请日:2020-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明目的在于提供一种新型C波段复合电磁吸波材料的合成方法,属于纳米材料技术领域,具体涉及一种具有超高吸波性能的低频吸波材料(Cu@Sn/rGO)的制备,包括如下步骤:采用溶胶‑凝胶和硬模板法结合的方式制备多孔二氧化锡材料,然后采用化学镀工艺成功沉积铜层,最终经过水热过程合成新型C波段复合电磁吸波材料。本发明利用Cu@Sn微球成功的调节了复合材料的阻抗匹配,并且引入了丰富界面使得其极化损耗有较大的提高。最终,Cu@Sn/rGO复合材料在C波段拥有较好的微波吸收性能,当吸收剂的填充量为5 wt%时,最小的反射损耗值为‑49.19 dB(6.08 GHz),并且有效吸波带宽(RL
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公开(公告)号:CN114591715A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202011391709.0
申请日:2020-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明目的在于提供一种新型C波段复合电磁吸波材料的合成方法,属于纳米材料技术领域,具体涉及一种具有超高吸波性能的低频吸波材料(Cu@Sn/rGO)的制备,包括如下步骤:采用溶胶‑凝胶和硬模板法结合的方式制备多孔二氧化锡材料,然后采用化学镀工艺成功沉积铜层,最终经过水热过程合成新型C波段复合电磁吸波材料。本发明利用Cu@Sn微球成功的调节了复合材料的阻抗匹配,并且引入了丰富界面使得其极化损耗有较大的提高。最终,Cu@Sn/rGO复合材料在C波段拥有较好的微波吸收性能,当吸收剂的填充量为5 wt%时,最小的反射损耗值为‑49.19 dB(6.08 GHz),并且有效吸波带宽(RL
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公开(公告)号:CN114937873A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210619373.1
申请日:2022-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明目的在于提供一种新型C波段复合电磁吸波材料的合成方法,属于纳米材料技术领域,具体涉及一种具有超高吸波性能的低频吸波材料(Cu@Sn/rGO)的制备,包括如下步骤:采用溶胶‑凝胶和硬模板法结合的方式制备多孔二氧化锡材料,然后采用化学镀工艺成功沉积铜层,最终经过水热过程合成新型C波段复合电磁吸波材料。本发明利用Cu@Sn微球成功的调节了复合材料的阻抗匹配,并且引入了丰富界面使得其极化损耗有较大的提高。最终,Cu@Sn/rGO复合材料在C波段拥有较好的微波吸收性能,当吸收剂的填充量为5 wt%时,最小的反射损耗值为‑49.19 dB(6.08 GHz),并且有效吸波带宽(RL
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公开(公告)号:CN119215920A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411350517.3
申请日:2024-09-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/888 , C02F1/30 , B01J23/00 , B01J35/33 , B01J35/39 , B01J37/03 , C02F101/30
Abstract: 一种具有镶嵌结构的磁性可回收复合光催化剂的制备方法和应用,它涉及一种光催化剂的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有具备磁性的复相催化剂粉体中磁性相添加含量过多导致团聚,从而影响催化性能的问题。一种具有镶嵌结构的磁性可回收复合光催化剂为复相催化剂相aBi2WO6中镶嵌铁电催化剂相bBFe2O4,B为钴元素或镍元素。方法:一、制备溶胶A;二、制备溶胶B;三、制备溶胶C;四、制备溶胶D;五、制备混合溶胶E;六、烘干;七、碳化;八、煅烧。本发明设计镶嵌结构,即让铁电催化剂相均匀镶嵌在复相催化剂相中,使得其不能团聚出现在晶界上,避免其团聚后漏电流,这种结构可以有效提高压电光催化剂的降解性能。
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