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公开(公告)号：CN119216874A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411290336.6
申请日：2024-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/40
Abstract: 本发明涉及一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。采用一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化制备方法制备Sn基钎料表面纳米晶氧化层，Sn基钎料表面纳米晶氧化层的Sn基钎料表面氧化物纳米晶的平均晶粒直径为10‑20nm，氧化物层厚度为50nm‑1μm。大幅度缩短钎料表面氧化物的生长周期，提升氧化物厚度上限，提高材料的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN112387563B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011227585.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/06 , C09D179/04 , C08G73/06
Abstract: 本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
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公开(公告)号：CN110408268B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910860080.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D11/52 , C09D11/033 , C09D11/03
Abstract: 一种水系纳米墨水及配制方法，属于印刷电子技术领域，具体技术方案如下：一种水系纳米墨水，包括金属盐、纳米导电材料、表面活性剂和溶剂，所述金属盐的摩尔浓度为0.1mmol/L‑100mmol/L，所述纳米导电材料的摩尔浓度为0.1mol/L‑1mol/L，所述表面活性剂的摩尔浓度为0.1mmol/L‑100mmol/L；本发明所述的水系纳米墨水无需高温烧结固化，印刷后采用自然光或紫外光照就可以实现墨水的固化连接，短时间的光照处理就能大幅降低电路的电阻，提高印刷电路整体导电率；连接成本低廉，无需复杂的操作设备，操作方便，易应用于印刷电子领域实现工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN110047765A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910346433.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。
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公开(公告)号：CN103258755A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310140009.8
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷背视测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。针对现有检测技术无法满足生产实际需求的缺陷，本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的基底一侧分别设置有热像仪和红外激光器，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪实时检测基底待测焊盘处温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线、热像图判断倒装焊芯片的焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。此外，适用工艺范围广，本方法可同样适用于芯片侧植球时缺陷检测和三维组装时基底侧面植球焊点缺陷检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102943268A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210508619.4
申请日：2012-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C26/02
Abstract: 环形焊盘的激光喷射修复方法，它涉及激光喷射修复方法，本发明要解决现有修复方法对环形焊盘进行修复过程中存在环形焊盘划伤和环形焊盘从电路板上脱落问题，以及对临近的焊盘、元器件及电路板造成损伤问题。本发明中环形焊盘的激光喷射修复方法按以下步骤进行：一、采用溅射、蒸镀或化学气相沉积方法在透明基板表面制备一层金属薄膜；二、将待修复环形焊盘放置在镀有金属薄膜的透明基板的下方；三、启动激光器发出高斯能量分布的激光束对透明基板与金属薄膜之间界面进行照射；四、金属薄膜在激光束的作用下气化后向待修复的环形焊盘喷射并在其上冷却并凝固；五、重复步骤三及步骤四多次，即完成环形焊盘的修复过程。本发明适用于电子工程领域。
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公开(公告)号：CN102183545B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033883.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 检测电路板焊点可靠性的红外测温检测法，属于印刷电路板的焊点虚焊检测技术领域。它解决了现有方法对于外观正常的具有缺陷的焊点无法进行检测的问题。它包括以下步骤：一：采用红外激光器发出一束红外激光聚集至电路板上的待检测焊点上，采用红外热像仪获取该待检测焊点的动态图像和该待检测焊点引线处的动态图像，得到待检测焊点和待检测焊点引线处的温度分布曲线；二：将待检测焊点的温度分布曲线和待检测焊点引线处的温度分布曲线同比叠加在一起；三：对叠加结果进行判断：当两条温度分布曲线的分布趋势相同，且两条温度分布曲线上的最高温度点同步，判定该待检测焊点为合格焊点；否则为不合格焊点。本发明适用于电路板焊点可靠性的检测。
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公开(公告)号：CN102163658A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110034354.4
申请日：2011-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: LED多芯片吸嘴，它涉及一种多芯片吸嘴。它为了解决现有LED芯片贴装用的多芯片吸嘴存在的吸嘴位置固定，当出现吸嘴平面与基板芯片键合平面不平行或多个键合点位置不在同一水平面时，芯片贴放存在较大的精度误差的问题而提出。上端壳体和下端壳体之间留有气腔；多个芯片吸嘴固定设置在下端壳体上；上限位块装设在下端壳体的上端面的上限位槽内；圆锥形壳体的锥底端位于下端壳体的下端面的安装槽内；下限位块装设在圆锥形壳体内部的限位腔内，上限位块和下限位块分别与吸管固定连接；弹簧位于上限位块与下限位块之间，吸管的一端与上端壳体和下端壳体之间气腔连通，吸管的另一端从圆锥形壳体的锥顶处伸出。它具有贴装效率高及精确度高的优点。
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公开(公告)号：CN102130110A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010604319.7
申请日：2010-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 多芯片组大功率LED封装结构，属于LED封装技术领域。它解决了多芯片组大功率LED照明模块的散热问题。它由基板、多个封装单元和电路导线组成，基板正面均匀分布多个封装单元，电路导线印刷在基板正面，基板由下层的铜散热基板和上层的绝缘层组成，每个封装单元由反光杯、键合层、LED芯片、荧光粉、硅胶透镜和丝球键合用金丝组成，反光杯开在基板的正面，反光杯的杯底中心处共晶键合LED芯片，LED芯片的上表面涂覆荧光粉，所述反光杯内注有硅胶用来固定LED芯片，反光杯的杯口外侧固定硅胶透镜，LED芯片的正负极分别通过丝球键合用金丝与基板正面的电路导线连接。本发明为一种LED芯片的封装结构。
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公开(公告)号：CN118492600B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410809802.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/12
Abstract: 一种低应力高强度铝‑镁接头的搅拌摩擦焊接装置及方法。本发明包括控制系统、冷却系统和焊接装置，所述焊接装置包括分体式焊具和工作台，焊接工件通过工装安装于工作台上，分体式焊具设置于焊接工件上方，控制系统控制冷却系统向焊接工件喷洒冷却水并回收。本发明的目的是为了解决传统搅拌摩擦焊铝‑镁异质接头的高残余应力和金属间化合物厚度大导致的接头强度低问题，本发明提出了一种低应力高强度铝‑镁接头的搅拌摩擦焊接装置及方法，在焊接过程中对接头进行轧制，同步对轧制后的接头进行激冷处理，实现铝‑镁低残余应力和薄金属间化合物厚度的连接，全面提高铝‑镁接头的强度。
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