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公开(公告)号：CN112387563B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011227585.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/06 , C09D179/04 , C08G73/06
Abstract: 本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
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公开(公告)号：CN110433804A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910750842.1
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝制备掺杂氧化银的氧化锰纳米线网络的方法及其在催化分解甲醛中的应用，所述方法包括如下步骤：步骤一：将Mn(CH3COO)2溶液加入室温状态的PVA溶液中，在室温下磁力搅拌，得到静电纺丝前驱体溶液；步骤二：利用静电纺丝前驱体溶液通过注射泵推动注射器活塞，进行静电纺丝；步骤三：将纺成样品先置于高温空气中进行高温煅烧，再采用KMnO4溶液浸泡法浸泡所得的纳米线网络；步骤四：将银纳米线分散液滴在纳米线网络上，随后进行烘干，利用氧等离子体处理滴加银纳米线后的样品，进而实现氧化银纳米线的掺杂。本发明所需设备简单，连接过程安全便捷，制备周期短，实现了氧化银的掺杂，提高了催化效果。
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公开(公告)号：CN110047765A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910346433.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。
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公开(公告)号：CN109166793A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811005392.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/268
Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166793B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811005392.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/268
Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。
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公开(公告)号：CN112387563A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011227585.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/06 , C09D179/04 , C08G73/06
Abstract: 本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
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公开(公告)号：CN112263716A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011143238.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种在金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的方法，包括如下步骤：步骤S1、用氧‑氮混合等离子体对金属表面进行活化处理，得到表面活化的金属；步骤S2、采用超声雾化喷涂方法在所述金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层，得到中间产物；步骤S3、用氧等离子体对所述中间产物的表面进行活化，得到表面包覆纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的金属。本发明不仅能提高金属和纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层之间的界面粘附强度，实现金属与涂层材料之间的无中间过渡层直接连接，还能提高复合涂层的耐腐蚀性能和自修复性能。本发明还提供了一种超声雾化喷涂装置。
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公开(公告)号：CN110433804B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910750842.1
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝制备掺杂氧化银的氧化锰纳米线网络的方法及其在催化分解甲醛中的应用，所述方法包括如下步骤：步骤一：将Mn(CH3COO)2溶液加入室温状态的PVA溶液中，在室温下磁力搅拌，得到静电纺丝前驱体溶液；步骤二：利用静电纺丝前驱体溶液通过注射泵推动注射器活塞，进行静电纺丝；步骤三：将纺成样品先置于高温空气中进行高温煅烧，再采用KMnO4溶液浸泡法浸泡所得的纳米线网络；步骤四：将银纳米线分散液滴在纳米线网络上，随后进行烘干，利用氧等离子体处理滴加银纳米线后的样品，进而实现氧化银纳米线的掺杂。本发明所需设备简单，连接过程安全便捷，制备周期短，实现了氧化银的掺杂，提高了催化效果。
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公开(公告)号：CN110047765B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910346433.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。
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