一种表面活化键合方法及设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118762985A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410868326.X

    申请日:2024-07-01

    Abstract: 本发明提供了一种表面活化键合方法及设备,涉及芯片制造技术领域;该表面活化键合方法包括:将第一样品和第二样品分别进行表面活化处理,得到第一待键合样品和第二待键合样品;将所述第一待键合样品和第二待键合样品对准贴合,得到待键合样品对;在预设真空度下,对待键合样品对施加预设压力,然后在所述第一待键合样品和第二待键合样品之间同时施加偏置电压和脉冲电压进行室温键合,得到键合样品对。对于表面粗糙度较高的样品,采用本发明提供的表面活化键合方法,可以在较低的真空条件下制得的键合强度较高的产品。

    一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法

    公开(公告)号:CN110473778B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201910761248.2

    申请日:2019-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、采用O2/NH3/H2O等离子体对待键合的ZrO2和Al2O3晶片进行活化;步骤二、将活化的ZrO2和Al2O3表面置于大气环境下相互贴合形成预键合,并将预键合的ZrO2/Al2O3样品在大气下静置;步骤三、将静置后的ZrO2/Al2O3预键合样品进行退火处理。本发明实现了超硬材料Al2O3和ZrO2的无中间层直接键合,键合后的Al2O3和ZrO2晶片依然能保持原有的单一晶体取向。因此,能够减小场效应晶体管的漏电流,降低其特征尺寸,减小器件的损耗,提高器件的性能。

    一种在金属表面制备纳米羟基磷灰石-丝素蛋白复合涂层的方法

    公开(公告)号:CN112263716A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011143238.1

    申请日:2020-10-23

    Abstract: 本发明提供一种在金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的方法,包括如下步骤:步骤S1、用氧‑氮混合等离子体对金属表面进行活化处理,得到表面活化的金属;步骤S2、采用超声雾化喷涂方法在所述金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层,得到中间产物;步骤S3、用氧等离子体对所述中间产物的表面进行活化,得到表面包覆纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的金属。本发明不仅能提高金属和纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层之间的界面粘附强度,实现金属与涂层材料之间的无中间过渡层直接连接,还能提高复合涂层的耐腐蚀性能和自修复性能。本发明还提供了一种超声雾化喷涂装置。

    一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法

    公开(公告)号:CN110473778A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910761248.2

    申请日:2019-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、采用O2/NH3/H2O等离子体对待键合的ZrO2和Al2O3晶片进行活化;步骤二、将活化的ZrO2和Al2O3表面置于大气环境下相互贴合形成预键合,并将预键合的ZrO2/Al2O3样品在大气下静置;步骤三、将静置后的ZrO2/Al2O3预键合样品进行退火处理。本发明实现了超硬材料Al2O3和ZrO2的无中间层直接键合,键合后的Al2O3和ZrO2晶片依然能保持原有的单一晶体取向。因此,能够减小场效应晶体管的漏电流,降低其特征尺寸,减小器件的损耗,提高器件的性能。

    一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置

    公开(公告)号:CN107219123B

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201710420121.5

    申请日:2017-06-06

    Abstract: 一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置,属于键合强度测量领域。拉伸夹持棒一端与晶片存储槽外侧底面中部固接,晶片存储槽的槽侧壁的顶端设有一个直角横梁,直角横梁水平梁与晶片存储槽的槽侧壁的顶端连接为一体,直角横梁的竖直梁设置在晶片存储槽的槽口内。本发明通过对长方形晶片进行交叉十字键合,利用施加力的大小、施加力的位置、晶片的厚度、晶片的宽度以及晶片的抗拉强度之间存在确定的理论关系,寻找特定的施力位置和施力大小,根据施力大小和断裂位置计算键合强度的大小,若施加的拉力F≥σb·b2,且断裂位置为晶片或键合区域的边缘,则键合强度σ≥σb;若施加的拉力F<σb·b2,且断裂位置为键合界面处,则键合强度σ=F/b2。本发明用于测量晶片键合强度。

    一种辅助手动晶圆键合装置

    公开(公告)号:CN105977172B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201610337329.6

    申请日:2016-05-21

    Abstract: 一种辅助手动晶圆键合装置,包括长直角弯头接头、晶圆槽A、晶圆槽B、定角度合页、缓冲块A、缓冲块B、直线轴承A、直线轴承B、直线轴承C、直线光轴A、直线光轴B、直线光轴C、弹簧A、弹簧B、弹簧C、直线轴承连接件和底座,长直角弯头接头较短一端与晶圆槽A中心通孔过盈配合,晶圆槽A通过定角度合页与直线轴承C固定连接,晶圆槽B通过三根直线光轴与底座固定连接,三根弹簧分别与三根直线光轴间隙配合且位于靠近底座一端;三根直线轴承分别与三根直线光轴过盈配合且分别与三根弹簧上端固定连接,缓冲块A、缓冲块B分别与直线轴承A、直线轴承B固定连接。本发明避免了双手与晶圆片的直接接触,改善了手动晶圆键合质量。

    一种玻璃基板与聚苯乙烯基板室温直接键合方法及玻璃基板回收方法

    公开(公告)号:CN107583697A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710971824.7

    申请日:2017-10-18

    Abstract: 一种玻璃基板与聚苯乙烯基板室温直接键合方法及玻璃基板回收方法,属于微流控芯片键合领域。所述方法如下:将待键合的玻璃基板和聚苯乙烯基板进行超声清洗;将清洗后的玻璃基板和聚苯乙烯基板采用短波长光在大气环境中进行表面处理;将经过表面处理后的玻璃基板和聚苯乙烯基板表面在室温条件下进行贴合,完成键合;在室温条件下,将键合后的样品放置12~48h,即得到键合好的玻璃与聚苯乙烯基板。本发明的优点是:短波长光作用在玻璃基板表面发生光敏氧化反应,产生挥发性气体,再次清洁玻璃基板表面,不会造成玻璃基板表面的损伤和污染;本发明所需要的设备简单,键合过程安全便捷,键合周期短,在众多微流控芯片材料的键合方法中具有明显优势。

    一种在丝素蛋白包覆下可延缓镁合金降解的复合结构

    公开(公告)号:CN106512082A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201611064896.5

    申请日:2016-11-28

    Inventor: 王岩松 王晨曦

    Abstract: 本发明公开了一种在丝素蛋白包覆下可延缓镁合金降解的复合结构,所述复合结构从内到外依次为镁合金基体、表面修饰层和丝素蛋白膜,其中:所述表面修饰层起到连接镁合金基体和丝素蛋白膜的作用,由镁合金基体浸泡在硅烷基有机溶液中制得;所述丝素蛋白膜由经过硅烷基表面修饰的镁合金基体浸泡在质量浓度为1~10%的丝素蛋白水溶液中经30~150℃干燥30~120min后在甲醇中浸泡2~12h制得。本发明可在不影响镁合金力学性能和生物相容性的情况下,既能有效的延缓镁合金降解的时间,又能承载骨髓间的充质干细胞、表皮细胞等多种干细胞,并能够促进其分裂、分化等基本的生理活动。

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