-
公开(公告)号：CN104362116B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410616083.7
申请日：2014-11-04
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。
-
公开(公告)号：CN105597494A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510624320.9
申请日：2015-09-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
CPC分类号： B01D53/1493 , B01D53/18 , B01D53/78 , B01D2252/103 , B01D2258/0216
摘要： 本发明涉及一种尾气处理装置及尾气处理方法。所述尾气处理装置包括进气口、气体流通通道、第一喷水口、废水池、出气口、水质检测单元、排水口和回水口；气体流通通道与进气口连通；第一喷水口用于向气体流通通道内的尾气喷水；废水池用于容纳对尾气进行处理后产生的废水；出气口与气体流通通道连通，且位于气体流通通道的末端；水质检测单元用于检测废水池内的废水的水质是否满足回收要求；排水口用于在废水池中水的水质不满足回收要求时将废水池内的废水排出；回水口通过回水管道与第一喷水口连接，其用于在废水池中水的水质满足回收要求时，将废水池中的水经回水管道输入到第一喷水口中。上述尾气处理装置可以实现对废水的再次利用。
-
公开(公告)号：CN103531501B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310499071.6
申请日：2013-10-21
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。
-
公开(公告)号：CN103691715A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310752372.5
申请日：2013-12-30
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： B08B11/04
摘要： 本发明公开了一种基板清洗设备，包括机架、用于盛放玻璃基板的载台、安装有超声波发射器的清洗头本体、至少一个激光位移传感器、以及信号处理器；其中，载台固定于机架；清洗头本体位于载台上方，且可滑动地安装于机架；激光位移传感器安装于清洗头本体、且通过向玻璃基板表面发射激光探测射线来测量激光位移传感器与玻璃基板表面之间的距离信息；信号处理器与激光位移传感器信号连接、且用于当激光位移传感器与玻璃基板表面之间的距离信息出现异常时判断玻璃基板破损。本发明提供的基板清洗设备能够准确地检测出被测玻璃基板是否有破损，且能够避免漏检的情况出现，提高了破损玻璃基板的检出率。
-
公开(公告)号：CN103590018A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310508648.5
申请日：2013-10-24
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明提供一种气体处理系统及化学气相沉积设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的气体处理系统的能源浪费的问题。本发明的气体处理系统，其包括：用于从反应腔室中抽取气体的抽气装置、用于对从反应腔室中抽取的气体进行处理的气体处理装置，所述气体处理系统还包括：气体监测装置，所述反应腔室与抽气装置，抽气装置与气体处理装置均通过第一管道连接；所述气体监测装置与第一管道气路连接，用于将气体电离，并俘获电离产生的离子而产生电流；所述气体监测装置与气体处理装置电连接，用于控制气体处理装置工作。本发明的气体处理系统可用于化学气相沉积设备，干法刻蚀工艺设备等基板处理工艺的设备中。
-
公开(公告)号：CN103590018B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310508648.5
申请日：2013-10-24
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明提供一种气体处理系统及化学气相沉积设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的气体处理系统的能源浪费的问题。本发明的气体处理系统，其包括：用于从反应腔室中抽取气体的抽气装置、用于对从反应腔室中抽取的气体进行处理的气体处理装置，所述气体处理系统还包括：气体监测装置，所述反应腔室与抽气装置，抽气装置与气体处理装置均通过第一管道连接；所述气体监测装置与第一管道气路连接，用于将气体电离，并俘获电离产生的离子而产生电流；所述气体监测装置与气体处理装置电连接，用于控制气体处理装置工作。本发明的气体处理系统可用于化学气相沉积设备，干法刻蚀工艺设备等基板处理工艺的设备中。
-
公开(公告)号：CN106024610A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610609742.3
申请日：2016-07-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/32135
摘要： 本发明提供一种下部电极、干法刻蚀设备，涉及显示技术领域，将该下部电极应用到干法刻蚀中，可以解决现有技术中下部电极对待刻蚀基板的所有部分均产生相同吸力的问题。一种下部电极，包括：导电层、以及贯穿所述下部电极的多个气孔；所述下部电极的上表面设置有多个凸起；所述导电层包括：第一导电单元和位于所述第一导电单元外围的第二导电单元，所述第一导电单元和所述第二导电单元互不接触；所有所述气孔均位于所述下部电极的输气区域，所述输气区域由所述第一导电单元的外轮廓限定。本发明适用于下部电极、以及包括该下部电极的干法刻蚀设备的制作。
-
公开(公告)号：CN104393002A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410597037.7
申请日：2014-10-29
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1262 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78636
摘要： 本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上且与所述衬底基板直接接触的膜层图形，所述衬底基板表面设置有沟槽，所述膜层图形设置于所述沟槽内。本发明中，在衬底基板表面设置沟槽，将与衬底基板直接接触的非整层膜层结构的膜层图形设置于沟槽内，以减少后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差，提升了显示基板的结构整体平坦度，提高了显示基板的性能。
-
公开(公告)号：CN104362116A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410616083.7
申请日：2014-11-04
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L21/67011 , H01J37/04
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。
-
公开(公告)号：CN103531501A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499071.6
申请日：2013-10-21
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12
摘要： 本发明实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.078 秒)
