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公开(公告)号：CN104362116B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410616083.7
申请日：2014-11-04
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。
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公开(公告)号：CN104393002A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410597037.7
申请日：2014-10-29
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1262 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78636
摘要： 本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上且与所述衬底基板直接接触的膜层图形，所述衬底基板表面设置有沟槽，所述膜层图形设置于所述沟槽内。本发明中，在衬底基板表面设置沟槽，将与衬底基板直接接触的非整层膜层结构的膜层图形设置于沟槽内，以减少后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差，提升了显示基板的结构整体平坦度，提高了显示基板的性能。
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公开(公告)号：CN104362116A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410616083.7
申请日：2014-11-04
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L21/67011 , H01J37/04
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。
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公开(公告)号：CN103531501A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499071.6
申请日：2013-10-21
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12
摘要： 本发明实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。
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公开(公告)号：CN105206619B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510536802.9
申请日：2015-08-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/124
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现技术制备的阵列基板中，平行于衬底基板的半透明金属膜层构成的像素电极和公共电极使背光透过率降低，影响TFT–LCD的亮度的问题。所述阵列基板，包括衬底基板，设置于所述衬底基板的上表面的若干像素单元，所述像素单元呈阵列排布于所述衬底基板上；所述衬底基板上形成有对应每一所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面延伸；所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述第一电极槽内，所述公共电极形成于所述第二电极槽内。
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公开(公告)号：CN105206619A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510536802.9
申请日：2015-08-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/124
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现技术制备的阵列基板中，平行于衬底基板的半透明金属膜层构成的像素电极和公共电极使背光透过率降低，影响TFT–LCD的亮度的问题。所述阵列基板，包括衬底基板，设置于所述衬底基板的上表面的若干像素单元，所述像素单元呈阵列排布于所述衬底基板上；所述衬底基板上形成有对应每一所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面延伸；所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述第一电极槽内，所述公共电极形成于所述第二电极槽内。
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公开(公告)号：CN103691715B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310752372.5
申请日：2013-12-30
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基板清洗设备，包括机架、用于盛放玻璃基板的载台、安装有超声波发射器的清洗头本体、至少一个激光位移传感器、以及信号处理器；其中，载台固定于机架；清洗头本体位于载台上方，且可滑动地安装于机架；激光位移传感器安装于清洗头本体、且通过向玻璃基板表面发射激光探测射线来测量激光位移传感器与玻璃基板表面之间的距离信息；信号处理器与激光位移传感器信号连接、且用于当激光位移传感器与玻璃基板表面之间的距离信息出现异常时判断玻璃基板破损。本发明提供的基板清洗设备能够准确地检测出被测玻璃基板是否有破损，且能够避免漏检的情况出现，提高了破损玻璃基板的检出率。
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公开(公告)号：CN103715113A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310688786.6
申请日：2013-12-13
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/244
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/67253
摘要： 本发明公开了一种刻蚀速率均一度的监测方法和装置，以实现实时对腔体内等离子体刻蚀速率均一度的监测。所述方法包括：在刻蚀过程中，实时采集刻蚀的反应腔体内反应物或生成物的光谱信号的强度值；根据所述光谱信号的强度值，确定所述反应物或生成物光谱信号的强度值变化阶段对应的起始时间和终止时间；根据所述起始时间、终止时间以及预设的被刻蚀膜层的厚度，确定刻蚀速率的最大值和最小值；根据所述刻蚀速率的最大值和最小值确定刻蚀速率的均一度。
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公开(公告)号：CN103715113B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310688786.6
申请日：2013-12-13
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/244
摘要： 本发明公开了一种刻蚀速率均一度的监测方法和装置，以实现实时对腔体内等离子体刻蚀速率均一度的监测。所述方法包括：在刻蚀过程中，实时采集刻蚀的反应腔体内反应物或生成物的光谱信号的强度值；根据所述光谱信号的强度值，确定所述反应物或生成物光谱信号的强度值变化阶段对应的起始时间和终止时间；根据所述起始时间、终止时间以及预设的被刻蚀膜层的厚度，确定刻蚀速率的最大值和最小值；根据所述刻蚀速率的最大值和最小值确定刻蚀速率的均一度。
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公开(公告)号：CN103531501B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310499071.6
申请日：2013-10-21
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。
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