公开(公告)号：CN102214692B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201010199051.3

申请日：2010-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  霍克孝 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。

公开(公告)号：CN102214692A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010199051.3

申请日：2010-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  霍克孝 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。

公开(公告)号：CN102117807B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010222750.5

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  段孝勤

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明公开了一种高压装置及形成此高压装置的方法，其中该高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的阱区。第二掺杂型态的第一阱区设置在第一掺杂型态的阱区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的阱区中。一第一栅极电设置在隔离结构与第二掺杂型态的第一阱区之上。第二掺杂型态的一第二阱区设置在第一掺杂型态的阱区中。第二掺杂型态的第二阱区与第二掺杂型态的第一阱区之间具有一间隔。一第二栅极电极设置在第二掺杂型态的第一阱区与第二掺杂型态的第二阱区之间及之上。

公开(公告)号：CN101685833A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910140146.5

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。

公开(公告)号：CN102117807A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010222750.5

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  段孝勤

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明公开了一种高压装置及形成此高压装置的方法，其中该高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。第二掺杂型态的第一井区设置在第一掺杂型态的井区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的井区中。一第一闸极电设置在隔离结构与第二掺杂型态的第一井区之上。第二掺杂型态的一第二井区设置在第一掺杂型态的井区中。第二掺杂型态的第二井区与第二掺杂型态的第一井区之间具有一间隔。一第二闸极电极设置在第二掺杂型态的第一井区与第二掺杂型态的第二井区之间及之上。

公开(公告)号：CN101685833B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910140146.5

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  巫宗晔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱(pre-high-voltage well，pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱(high-voltage well，HVW)区于该前高压阱区上，其中该高压阱区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压阱区的一顶部，其中至少该前高压阱区、该高压阱区与该场环之一包括至少两个通道(tunnel)；一绝缘区于该场环与该高压阱区的一部分上；一漏极区于该高压阱区中且邻接该绝缘区；一栅极电极于该绝缘区的一部分上；以及一源极区相对于该源极区在该栅极的一相对侧上。通过使用本发明的实施例，减低了高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通电阻与增高了元件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101626032B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910140147.X

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  蒋柏煜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体结构，其包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一前高电压阱区，位于半导体基底内，其中前高电压阱区具有与第一导电型相反的一第二导电型；一高电压阱区，位于前高电压阱区上方，其中高电压阱区具有第二导电型；一场环型物，具有第一导电型且占据高电压阱区的顶部；以及一隧道，具有第一导电型且位于前高电压阱区与高电压阱区内且电性连接场环型物与半导体基底。根据本发明的半导体结构，超高电压MOSFET的导通电阻可降低，且装置的击穿电压得以增加。同样也可改善超高电压MOSFET的稳定性。再者，本发明的好处在于不需使用额外的掩模。

公开(公告)号：CN101626032A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140147.X

申请日：2009-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏晟 ,  黄宗义 ,  陈富信 ,  黄麒铨 ,  蒋柏煜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体结构，其包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一前高电压阱区，位于半导体基底内，其中前高电压阱区具有与第一导电型相反的一第二导电型；一高电压阱区，位于前高电压阱区上方，其中高电压阱区具有第二导电型；一场环型物，具有第一导电型且占据高电压阱区的顶部；以及一隧道，具有第一导电型且位于前高电压阱区与高电压阱区内且电性连接场环型物与半导体基底。根据本发明的半导体结构，超高电压MOSFET的导通电阻可降低，且装置的击穿电压得以增加。同样也可改善超高电压MOSFET的稳定性。再者，本发明的好处在于不需使用额外的掩模。