公开(公告)号：CN110838470B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201910760089.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢启文 ,  洪健平 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 在制造半导体装置的方法中，制备布局。布局包括主动区域图案、第一鳍切割图案及第二鳍切割图案，其中每个主动区域图案对应于单个或两个鳍结构。选自由第一鳍切割图案及第二鳍切割图案组成的群组的至少一个图案具有非矩形形状。布局通过添加一或多个虚设主动区域图案并且通过将至少一个图案改变为矩形图案来修改。根据包括主动区域图案及虚设主动区域图案的修改布局形成基部鳍结构。根据第一鳍切割图案的修改布局及第二鳍切割图案的修改布局的一个移除基部鳍结构的部分。

公开(公告)号：CN103681622B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210511012.1

申请日：2012-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢启文 ,  张岐康 ,  刘家助 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0886 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种适用于制造非平面电路器件的覆盖标记以及形成该覆盖标记的方法。示例性实施例包括接收具有有源器件区域和覆盖区域的衬底。在衬底上形成一个或多个介电层和硬掩模。图案化硬掩模以形成被配置成限定覆盖标记鳍的硬掩模层部件。在图案化硬掩模层上形成间隔件。该间隔件进一步限定覆盖标记鳍和有源器件鳍。切割该覆盖标记鳍以形成用于限定覆盖计量的参考位置的鳍线端部。蚀刻介电层和衬底以进一步限定覆盖标记鳍。本发明还提供了增强的FINFET工艺覆盖标记。

公开(公告)号：CN103681622A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210511012.1

申请日：2012-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢启文 ,  张岐康 ,  刘家助 ,  陈孟伟 ,  陈桂顺

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0886 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种适用于制造非平面电路器件的覆盖标记以及形成该覆盖标记的方法。示例性实施例包括接收具有有源器件区域和覆盖区域的衬底。在衬底上形成一个或多个介电层和硬掩模。图案化硬掩模以形成被配置成限定覆盖标记鳍的硬掩模层部件。在图案化硬掩模层上形成间隔件。该间隔件进一步限定覆盖标记鳍和有源器件鳍。切割该覆盖标记鳍以形成用于限定覆盖计量的参考位置的鳍线端部。蚀刻介电层和衬底以进一步限定覆盖标记鳍。本发明还提供了增强的FINFET工艺覆盖标记。

公开(公告)号：CN110838470A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910760089.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢启文 ,  洪健平 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 在制造半导体装置的方法中，制备布局。布局包括主动区域图案、第一鳍切割图案及第二鳍切割图案，其中每个主动区域图案对应于单个或两个鳍结构。选自由第一鳍切割图案及第二鳍切割图案组成的群组的至少一个图案具有非矩形形状。布局通过添加一或多个虚设主动区域图案并且通过将至少一个图案改变为矩形图案来修改。根据包括主动区域图案及虚设主动区域图案的修改布局形成基部鳍结构。根据第一鳍切割图案的修改布局及第二鳍切割图案的修改布局的一个移除基部鳍结构的部分。