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公开(公告)号：CN102779822B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110308583.0
申请日：2011-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76886 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种一次性可编程(OTP)器件，包括：至少一个晶体管；以及熔丝，与至少一个晶体管电连接。该熔丝包括：含硅线，在熔丝的第一节点和第二节点之间连续延伸；第一含硅化物部分，被设置在含硅线上方；以及第二含硅化物部分，被设置在含硅线上方，其中，第二含硅化物部分与第一含硅化物部分以预定距离分隔开，并且预定距离基本上等于或小于含硅线的长度。本发明还提供了一次性可编程器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053877B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011563976.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包含邻接沟槽电容器的柱结构的集成电路(IC)。衬底具有定义沟槽的多个侧壁。沟槽延伸到衬底的前侧表面中。沟槽电容器包含多个电容器电极层和多个电容器介电层，多个电容器电极层和多个电容器介电层分别衬于沟槽且定义衬底内的空腔。柱结构设置于衬底内。柱结构具有第一宽度和小于第一宽度的第二宽度。第一宽度与衬底的前侧表面对准，且第二宽度与设置在前侧表面之下的第一点对准。
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公开(公告)号：CN103367368A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310003937.X
申请日：2013-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0408 , H01L21/0223 , H01L21/265 , H01L21/28273 , H01L21/30604 , H01L21/32055 , H01L21/76205 , H01L21/76213 , H01L21/76224 , H01L21/76237 , H01L27/11517 , H01L27/11558 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/42324 , H01L29/66825
Abstract: 一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁部位于有源区的侧壁上。电容器绝缘体设置在电容器上极板和电容器下极板之间。电容器绝缘体包括上部，以及低于上部的底面的侧壁部。本发明还提供了多次可编程存储单元及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119072226A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410950372.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种实施例提供了用于包括具有合并区的沟渠电容结构的集成电路装置的技术和装置。填充合并区的材料不同于沟渠电容结构的电极层中所包括的材料。此外，填充合并区的材料包括热膨胀系数和弹性模量，其与沟渠电容结构的架构相结合，相对于另一具有沟渠电容结构的集成电路装置，该沟渠电容结构包括相同材料的合并区和电极层，减少集成电路装置内的热应力和/或应变。
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公开(公告)号：CN113053877A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011563976.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包含邻接沟槽电容器的柱结构的集成电路(IC)。衬底具有定义沟槽的多个侧壁。沟槽延伸到衬底的前侧表面中。沟槽电容器包含多个电容器电极层和多个电容器介电层，多个电容器电极层和多个电容器介电层分别衬于沟槽且定义衬底内的空腔。柱结构设置于衬底内。柱结构具有第一宽度和小于第一宽度的第二宽度。第一宽度与衬底的前侧表面对准，且第二宽度与设置在前侧表面之下的第一点对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867433A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910554517.8
申请日：2019-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及用于高密度沟槽电容器的薄膜方案。本申请案的各种实施例涉及一种具有高电容密度的沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，所述沟槽电容器上覆于衬底且填充通过所述衬底界定的沟槽。所述沟槽电容器包括下电容器电极、电容器介电质层和上电容器电极。所述电容器介电质层上覆于所述下电容器电极且加衬里于所述沟槽。所述上电容器电极上覆于所述电容器介电质层且在所述电容器介电质层上方加衬里于所述沟槽。所述电容器介电质层包括高介电系数材料。通过针对所述介电质层使用高介电系数材料，所述沟槽电容器可具有适用于配合高性能移动装置使用的高电容密度。
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公开(公告)号：CN117174698A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310970696.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开实施例提供了方法的实施例。方法包括：图案化衬底以形成沟槽；蚀刻衬底，从而将沟槽修改为具有圆形尖端；在沟槽中形成包括导电层和介电层的堆叠件，其中，导电层和介电层在堆叠件内彼此交替；在第一沟槽中形成绝缘压缩膜，从而密封沟槽中的空隙；以及形成分别连接至导电层的导电插塞。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103367368B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310003937.X
申请日：2013-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0408 , H01L21/0223 , H01L21/265 , H01L21/28273 , H01L21/30604 , H01L21/32055 , H01L21/76205 , H01L21/76213 , H01L21/76224 , H01L21/76237 , H01L27/11517 , H01L27/11558 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/42324 , H01L29/66825
Abstract: 一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁部位于有源区的侧壁上。电容器绝缘体设置在电容器上极板和电容器下极板之间。电容器绝缘体包括上部，以及低于上部的底面的侧壁部。本发明还提供了多次可编程存储单元及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102779822A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110308583.0
申请日：2011-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/76886 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种一次性可编程(OTP)器件，包括：至少一个晶体管；以及熔丝，与至少一个晶体管电连接。该熔丝包括：含硅线，在熔丝的第一节点和第二节点之间连续延伸；第一含硅化物部分，被设置在含硅线上方；以及第二含硅化物部分，被设置在含硅线上方，其中，第二含硅化物部分与第一含硅化物部分以预定距离分隔开，并且预定距离基本上等于或小于含硅线的长度。本发明还提供了一次性可编程器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN220873578U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202321568308.7
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本申请的各种实施例是有关于一种集成芯片。所述集成芯片包括上覆于基底上的沟道电容器。沟道电容器包括多个电容器电极结构、多个翘曲减小结构及多个电容器介电结构。所述多个电容器电极结构、所述多个翘曲减小结构与所述多个电容器介电结构交替地堆栈且界定在垂直方向上延伸至基底中的沟道段。所述多个电容器电极结构包含金属组分及氮组分。所述多个翘曲减小结构包含金属组分、氮组分及氧组分。
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