公开(公告)号：CN110957413A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910912617.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏燊 ,  郑创仁 ,  施启元 ,  黄士芬 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  黄富骏 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/293

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。

公开(公告)号：CN110660781A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910573332.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施启元 ,  张凯峯 ,  黄士芬 ,  戴文川 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  林柏燊 ,  黄富骏 ,  郑创仁 ,  吴华书 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。

公开(公告)号：CN110867433A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910554517.8

申请日：2019-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑新立 ,  林均颖 ,  杨锦煌 ,  许庭祯 ,  徐英杰 ,  陈彦文

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明实施例涉及用于高密度沟槽电容器的薄膜方案。本申请案的各种实施例涉及一种具有高电容密度的沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，所述沟槽电容器上覆于衬底且填充通过所述衬底界定的沟槽。所述沟槽电容器包括下电容器电极、电容器介电质层和上电容器电极。所述电容器介电质层上覆于所述下电容器电极且加衬里于所述沟槽。所述上电容器电极上覆于所述电容器介电质层且在所述电容器介电质层上方加衬里于所述沟槽。所述电容器介电质层包括高介电系数材料。通过针对所述介电质层使用高介电系数材料，所述沟槽电容器可具有适用于配合高性能移动装置使用的高电容密度。

公开(公告)号：CN110957413B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201910912617.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏燊 ,  郑创仁 ,  施启元 ,  黄士芬 ,  邓伊筌 ,  蔡易恒 ,  林佑儒 ,  陈彦文 ,  黄富骏 ,  胡凡 ,  林璟晖 ,  廖彦杰

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/00 ,  H10N30/063

Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。