公开(公告)号：CN104485313A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410602989.3

申请日：2011-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨庆荣 ,  刘豫文 ,  唐修敏 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖 ,  于宗源

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，该密封环区围绕该电路区；一第一介电层，设置于该密封环区的上方，该第一介电层具有一底部和位于该底部上方的一顶部；一第二介电层，设置于该第一介电层的上方，其中该第一介电层和该第二介电层具有不同的介电常数；以及一密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层的该顶部两者之中，其中该密封环结构并未延伸至该第一介电层的该底部中；以及一外部密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层两者之中，该外部密封环结构围绕该密封环结构，且延伸至该第一介电层的该底部中。本发明可明显地提升封装工艺的良率。

公开(公告)号：CN102881661A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210192136.8

申请日：2012-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨宗颖 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片包括：电路区域和角应力消除(CSR)区域。CSR区域位于半导体芯片的角部。被测器件(DUT)或功能电路被设置在电路区域上方。探针焊盘被设置在CSR区域上方。金属线从电路区域延伸到CSR区域，从而将探针焊盘与DUT结构或功能电路电连接。

公开(公告)号：CN102956618B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210289651.8

申请日：2012-08-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨宗颖 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成电路包括围绕着设置在基板上方的电路设置的密封环结构。第一焊盘与该密封环结构电连接。泄漏电流测试结构与该密封环结构相邻地设置。第二焊盘与该泄漏电流测试结构电连接，其中，该泄漏电流测试结构被配置为在密封环结构和泄漏电流测试结构之间提供泄漏电流测试。本发明还公开了一种带有泄漏电流测试结构的集成电路。

公开(公告)号：CN102593076A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110148043.0

申请日：2011-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨庆荣 ,  刘豫文 ,  唐修敏 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖 ,  于宗源

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，上述密封环区围绕上述电路区。一密封环结构，设置于上述密封环区的上方，上述密封环结构具有一第一部分和位于上述第一部分上方的一第二部分，其中上述第一部分具有一宽度W1，上述第二部分具有一宽度W2，且上述宽度W1小于上述宽度W2。本发明可明显地提升封装工艺的良率。

公开(公告)号：CN102468246A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110139905.3

申请日：2011-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括一基板，具有一密封环区与一电路区；至少一角落凸块，配置于电路区中；一密封环结构，配置于密封环区中；以及一连接结构，电性连接密封环结构的一金属层与至少一角落凸块，至少一角落凸块耦接一信号接地。本发明有助于在使密封环结构接地时避免产生面积损失与额外的制作成本。

公开(公告)号：CN104485313B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201410602989.3

申请日：2011-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨庆荣 ,  刘豫文 ,  唐修敏 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖 ,  于宗源

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，该密封环区围绕该电路区；一第一介电层，设置于该密封环区的上方，该第一介电层具有一底部和位于该底部上方的一顶部；一第二介电层，设置于该第一介电层的上方，其中该第一介电层和该第二介电层具有不同的介电常数；以及一密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层的该顶部两者之中，其中该密封环结构并未延伸至该第一介电层的该底部中；以及一外部密封环结构，内嵌于该第二介电层和该第一介电层两者之中，该外部密封环结构围绕该密封环结构，且延伸至该第一介电层的该底部中。本发明可明显地提升封装工艺的良率。

公开(公告)号：CN102881661B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210192136.8

申请日：2012-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨宗颖 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片包括：电路区域和角应力消除(CSR)区域。CSR区域位于半导体芯片的角部。被测器件(DUT)或功能电路被设置在电路区域上方。探针焊盘被设置在CSR区域上方。金属线从电路区域延伸到CSR区域，从而将探针焊盘与DUT结构或功能电路电连接。

公开(公告)号：CN102479758B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110210784.7

申请日：2011-07-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L27/02 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了一种用于减少蚀刻残留物的结构。该结构包括两个沟槽之间的相交区域的布局。首先，具有梯形转角的较大相交区域可以替换为将两个沟槽进行垂直相交。该布局减小了相交区域，并且降低了不完全蚀刻材料留在相交区域的可能性。该结构还包括一种可选方式，在相交区域中填充未蚀刻的较小梯形区域或者多个未蚀刻的方形区域，从而减小了相交点处的开口区域，从而降低了具有不完全蚀刻材料的可能性。

公开(公告)号：CN102468246B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201110139905.3

申请日：2011-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括一基板，具有一密封环区与一电路区；至少一角落凸块，配置于电路区中；一密封环结构，配置于密封环区中；以及一连接结构，电性连接密封环结构的一金属层与至少一角落凸块，至少一角落凸块耦接一信号接地。本发明有助于在使密封环结构接地时避免产生面积损失与额外的制作成本。

公开(公告)号：CN102290378B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201010552497.X

申请日：2010-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  杨宗颖

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/3157 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一基板，具有一密封环区与一电路区；多个假栅极，位于该基板的该密封环区之上；以及一密封环结构，设置于该密封环区内的所述多个假栅极之上。该制造方法包括：提供一基板，具有一密封环区与一电路区；形成多个假栅极于该基板的该密封环区之上；以及形成一密封环结构于该密封环区内的所述多个假栅极之上。本发明可大体减少或消除密封环区内的碟化效应。