公开(公告)号：CN100361290C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200510069958.7

申请日：2005-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  周士惟 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76816 ,  C25D3/58 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明是有关于一种差异掺杂的铜镶嵌结构与其制造方法，该方法包括有提供具有处理表面的半导体制程晶圆，此处理表面具有一开口，以形成半导体特征；于开口之上沉积至少一层含金属与非金属掺质，与后续沉积的铜层形成一热扩散关系；沉积铜层以填满开口；以及热处理此半导体制程晶圆一段热处理时间，此一段热处理时间足以将至少一部份的金属与非金属掺质分散，并使其沿着至少一部份的铜层边缘聚集，此铜层的边缘包括一部份的铜层的晶粒界面。

公开(公告)号：CN1604298A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410070050.3

申请日：2004-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  潘兴强 ,  李显铭 ,  苏鸿文 ,  周士惟 ,  蔡明兴 ,  眭晓林

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气造成晶片的污染。

公开(公告)号：CN100552894C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510124394.2

申请日：2005-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  周士惟 ,  林正堂 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括：形成多层堆叠排列结构，其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层，和位于添加物层上的金属层；以及对多层堆叠排列结构进行退火，藉以在基材上形成金属硅化物层，其中此金属硅化物层包含来自于添加物层的添加物。其他实施例至少包括蚀刻多层堆叠排列结构，以移除不反应层。在另一实施例中，多层堆叠排列结构包括位于基材上的金属层、位于金属层上的添加物层，以及可选择性地位于添加物层上的氧阻障层。根据上述实施例所形成的金属硅化物，在高温制程中特别能够抵抗结块现象。

公开(公告)号：CN1295774C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410070050.3

申请日：2004-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  潘兴强 ,  李显铭 ,  苏鸿文 ,  周士惟 ,  蔡明兴 ,  眭晓林

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气造成晶片的污染。

公开(公告)号：CN1855388A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510124394.2

申请日：2005-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  周士惟 ,  林正堂 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括：形成多层堆叠排列结构，其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层，和位于添加物层上的金属层；以及对多层堆叠排列结构进行退火，藉以在基材上形成金属硅化物层，其中此金属硅化物层包含来自于添加物层的添加物。其他实施例至少包括蚀刻多层堆叠排列结构，以移除不反应层。在另一实施例中，多层堆叠排列结构包括位于基材上的金属层、位于金属层上的添加物层，以及可选择性地位于添加物层上的氧阻障层。根据上述实施例所形成的金属硅化物，在高温制程中特别能够抵抗结块现象。

公开(公告)号：CN1767168A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510069958.7

申请日：2005-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  周士惟 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76816 ,  C25D3/58 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明是有关于一种差异掺杂的铜镶嵌结构与其制造方法，该方法包括有提供具有处理表面的半导体制程晶圆，此处理表面具有一开口，以形成半导体特征；于开口之上沉积至少一层含金属与非金属掺质，与后续沉积的铜层形成一热扩散关系；沉积铜层以填满开口；以及热处理此半导体制程晶圆一段热处理时间，此一段热处理时间足以将至少一部份的金属与非金属掺质分散，并使其沿着至少一部份的铜层边缘聚集，此铜层的边缘包括一部份的铜层的晶粒界面。

公开(公告)号：CN2791880Y

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200420084588.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  潘兴强 ,  李显铭 ,  苏鸿文 ,  周士惟 ,  蔡明兴 ,  眭晓林

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气造成晶片的污染。