公开(公告)号：CN118629983A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410611186.8

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛长荣 ,  冯玠宁 ,  刘宇伦 ,  吕文雄 ,  郑明达

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。示例性半导体结构包括位于衬底上方的接触焊盘，位于接触焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层，位于UBM层上方并且经由UBM层电耦接至接触焊盘的金属柱，以及位于金属柱上的焊料帽。金属柱包括铜，并且铜的(111)晶向的百分比为90％或更大。

公开(公告)号：CN119419117A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411400157.3

申请日：2024-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭志雄 ,  傅士奇 ,  陈桂顺 ,  刘宇伦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法包括以下步骤：在基板上形成第一罩幕；在该第一罩幕中形成多个第一开口及第二开口；在由所述多个第一开口曝露的该基板的第一区域中形成第一井，且在由该第二开口曝露的该基板的第二区域中形成对准布植物；通过使该对准布植物凹陷以形成对准标记；及在该对准标记的对准下对多层半导体晶格进行图案化。对集成电路装置的每一层重复该工艺，且精确对准提高将不同层堆叠在一起的精度。

公开(公告)号：CN107068558A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611129194.0

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏盈豪 ,  刘宇伦 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺 ,  徐佩君

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/02318

Abstract: 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成可流动材料层于基板之上。上述基板具第一区域及第二区域。第一区域中可流动材料层的上表面高于第二区域中可流动材料层的上表面。此方法亦包含形成多个沟槽于第一区域中的可流动材料层，并执行退火工艺以回流可流动材料层，其中多个沟槽被可流动材料层填充。