公开(公告)号：CN107068558A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611129194.0

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏盈豪 ,  刘宇伦 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺 ,  徐佩君

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/02318

Abstract: 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成可流动材料层于基板之上。上述基板具第一区域及第二区域。第一区域中可流动材料层的上表面高于第二区域中可流动材料层的上表面。此方法亦包含形成多个沟槽于第一区域中的可流动材料层，并执行退火工艺以回流可流动材料层，其中多个沟槽被可流动材料层填充。