一种用于平板显示器中制备ITO透明电极的刻蚀液

    公开(公告)号:CN101003736A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200610005365.9

    申请日:2006-01-17

    Abstract: 本发明提供一种用于平板显示器中制备ITO透明电极的刻蚀液,它包含盐酸HCl和水,其特征是它还包含一定量的抑制剂和氧化剂,且它们之间按如下比例(重量比)配制:HCl∶H2O∶抑制剂∶氧化剂=7∶1.7∶1.0~1.7∶0.09~0.12本发明由于在刻蚀液中加入一定的抑制剂和氧化剂,使得刻蚀液可以在常温下刻蚀ITO膜,且刻蚀后的ITO电极钻蚀较小,边缘平滑整齐,同时不影响汇流电极中的金属电极,从而大大提高汇流电极的发射能力,提高平板显示器的显象质量。此外,本发明在刻蚀过程中由于受抑制剂的作用,盐酸溶液不易挥发,从而使环境不受污染。

    一种FED薄膜型金属电极的制备方法

    公开(公告)号:CN101004993A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200610005364.4

    申请日:2006-01-17

    CPC classification number: C03C15/00

    Abstract: 本发明提供一种FED薄膜型金属电极的制备方法,通过改变光刻胶的固膜温度及时间,使光刻胶与玻璃基板附着力更好,可以在碱性溶液中刻蚀,并且刻蚀过程容易控制,有效地克服了金属电极的钻蚀现象,大大提高了平板显示器的显像质量,该方法实现简单,又不需要特制的光刻胶就能实现平板显示器件中的金属电极的制备。

    一种场致发射显示屏的无排气孔封接方法

    公开(公告)号:CN1801432A

    公开(公告)日:2006-07-12

    申请号:CN200410103210.X

    申请日:2004-12-31

    Abstract: 本发明提供一种场致发射显示屏的无排气孔封接方法,其特征是在封接框的制作过程中先将低熔点玻璃粉、粘结剂及消泡剂按照一定的比例混合均匀配制成低熔点玻璃浆料;再通过多次印刷将其转移到阳极板上,形成有若干个排气孔的封接框;最后在高温烧结1.0小时后降至室温取出;由于本发明在真空烘箱中封接,且在封接框中形成若干个排气孔,从而使得器件的排气过程可以在封接中完成,这样不但无需在显示屏上制作排气孔和排气管,而且免除了封接后长时间的排气过程,也免除了器件在高温中被破坏,还可以将封接、激活、封离融合在一道工序中完成,从而大大提高了显示屏的成品合格率。

    一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺

    公开(公告)号:CN119730646A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411513877.0

    申请日:2024-10-29

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺,包括:在衬底上镀膜第一导电层并光刻,形成第一载流子驱动电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极;在第一载流子驱动电极上镀膜第一绝缘层并光刻,形成第一无注入绝缘介质层;在第一无注入绝缘介质层上制备发光功能层;在发光功能层镀膜第二绝缘层,对第二绝缘层进行光刻,形成第二无注入绝缘介质层;在第二无注入绝缘介质层上镀膜第二导电层并光刻,形成第二载流子驱动电极;在第一载流子驱动电极和第一栅极调控电极上制备第一传输层,在第二载流子驱动电极和第二栅极调控电极上制备第二传输层。本发明有效改善无注入发光器件的发光效率和发光亮度,且能够灵活地对二者进行调控。

    一种共用栅压的全彩栅极调控发光器件

    公开(公告)号:CN119521978A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411405243.3

    申请日:2024-10-10

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种共用栅压的全彩栅极调控发光器件,包括:多个通过行列排布的发光单元,发光单元包括阳极、发光功能层、阴极,且发光单元分为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元;发光单元的阳极和/或阴极侧设置栅极绝缘层,栅极绝缘层上设置栅极调控电极,红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元对应的栅极绝缘层厚度依次递减;发光单元的阳极与薄膜晶体管开关的漏极相连接,薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接,放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接,放大场效应晶体管的源极连接至第一调控电压源。本发明可以简化栅极调控结构,且保证各个发光单元的栅压调控具有独立性。

    一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法

    公开(公告)号:CN118398704A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410517415.X

    申请日:2024-04-28

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构,涉及光电显示领域,一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构,其特征在于,所述同质集成结构包括:衬底;半导体缓冲外延层;设置于所述半导体缓冲外延层上的第一金属接触层,第二金属接触层;其中,所述第一金属接触层与所述‑第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区;所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层构成MSM结构单元;设置于所述半导体缓冲外延层上的LED‑PN结单元;所述LED‑PN结单元包括下层半导体、上层半导体;且所述下层半导体的台阶面上设置有第三金属接触层,所述第二金属接触层与所述第三金属接触层之间设置有第一金属层电连接;所述第一金属层与所述下层半导体之间设置有第一绝缘层;设置于所述LED‑PN结单元的所述上层半导体上的所述第四接触层;其中,所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层、所述第一金属层、所述LED‑PN结单元依次相连用于与外界驱动根据所述开口区的受光情况而形成电通路。

    一种适用于工业大模型预训练的自监督方法

    公开(公告)号:CN117422953A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311482234.X

    申请日:2023-11-09

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于工业大模型预训练的自监督方法,包括:对样本原图进行颜色的数据增强处理,获得各个样本原图对应的第一子图和第二子图;将各个第一子图进行旋转生成第三子图;生成第一子图对应的特定标记;提取第一子图训练集和第二子图训练集的表征输入第一训练模型网络以使第一训练模型网络拉近表征;将第一子图的表征和特定标记进行融合获得特定表征;将特定表征进行重建,获得第一子图对应的第一旋转图;对第三子图训练集和第一旋转图提取表征输入第二训练模型网络以使第二训练模型网络拉近表征;对两个模型进行量纲同统一并分配预设的权重系数,获得工业大模型。本发明可以减少训练复杂度,使训练获得的工业大模型识别更加精准。

    一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统

    公开(公告)号:CN112904621B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202110108677.7

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括:光源模组,用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源;掩膜版模组,掩膜版模组包括掩膜版,掩膜版包括透光区、非透光区;装载平台,用于装载待配向基板;待配向基板包括三组不同配向角的配向区;配向角与三畴配向光源的入射方向相对应;掩膜版设置于装载平台与光源模组之间,且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区;其中,在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下,光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。

    一种基于菲涅尔液晶透镜的2D/3D可切换显示设备

    公开(公告)号:CN117215084A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311393398.5

    申请日:2023-10-25

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于菲涅尔液晶透镜的2D/3D可切换显示设备,包括:第一基板;第一基板上设置有多个第一电极组,各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极,各个第一环形电极呈同心环排布;第一环形电极的厚度由外侧向内侧逐渐增加,且第一环形电极的两侧分别连接至不同的驱动电压源,驱动电压源用于在第一环形电极的两侧施加不同的电位以使第一环形电极的各个位置产生渐变的第一电位;设置于第一基板对向的第二基板;第二基板上设置有公共面电极;设置于第一基板和第二基板之间的液晶层,液晶层内填充有液晶分子。本发明可以提高理想菲涅尔透镜形貌的效率,增加可利用的光效,进而提示显示设备的显示效果。

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