-
公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
-
公开(公告)号：CN112951103B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
-
公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
-
公开(公告)号：CN113299678A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110398179.0
申请日：2021-04-14
Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片，其特征在于，包括衬底，蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素；所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连，Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出，形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合，并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。
-
公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904620A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110107547.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提出一种双畴光配向LCD光路系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的两组双畴配向光源；掩膜版模组，包括:带有透光区和非透光区的掩膜版；待配向基板，包括：两组不同配向角的配向区；所述配向角与双畴配向光源的入射方向相对应；每个所述透光区对应待配向基板的一个显示像素，每个所述显示像素包括两个不同配向角的配向区；所述掩膜版设置于待配向基板与光源模组之间，且掩膜版的透光区的中心位置在待配向基板上的投影位于同一个显示像素中两个配向区的中间。旨在解决在双畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
-
公开(公告)号：CN112820844A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106846.3
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。
-
公开(公告)号：CN112782944A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110106865.6
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
-
公开(公告)号：CN112508845A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011102734.2
申请日：2020-10-15
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的osd菜单语言自动化检测方法，包括以下步骤：步骤S1:获取osd菜单的图像数据集；步骤S2:对图像数据集中的图像进行预处理，并通过图像增广扩充数据集；步骤S3:构建深度神经网络，并对图像数据集经行特征提取；步骤S4:根据提取的特征通过分类器分类，以实现不同界面不同拍摄环境下osd菜单文字的识别；步骤S5:利用人工设计特征，使用模板匹配的方法精选辅助训练，对分类器的分类结果进一步分类，获取osd菜单所示文字的识别结果；步骤S6:利用匹配定位算法，比照标准对照表定位出osd菜单上显示不符标准的地方。本发明可以精确高速的检索定位出菜单显示不标准的地方，为显示器生产过程中osd菜单检错提供了更好的解决方案。
-
公开(公告)号：CN111834420A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
431
records
(took 0.051 seconds)
