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公开(公告)号：CN112904621B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN113675129B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN116247140A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211601499.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的可实现光束准直的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底、Micro‑LED台面以及光学超构表面结构层；所述Micro‑LED台面由金属反射层、p‑掺杂区、多量子阱层及n‑掺杂区组成；所述光学超构表面结构层为n层的纳米结构阵列，其中n≥1；所述Micro‑LED台面产生光源，所述光学超构表面结构层实现任意波长下Micro‑LED出射光的准直；应用本技术方案可实现任意波长下出射光的准直。
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公开(公告)号：CN116230820A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211601498.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的宽带方向偏转调控的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底层、Micro‑LED台面、谐振腔和光学超构表面；所述Micro‑LED台面由n‑掺杂区、多量子阱层、p‑掺杂区组成，光学超构表面由n层纳米结构组成，其中n≥1；所述谐振腔实现Micro‑LED的光束准直，所述光学超构表面实现Micro‑LED出射光的方向偏转调控；应用本技术方案可实现对多种波长电磁波的偏转角度独立调控。
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公开(公告)号：CN111834421B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H10K59/35 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/46 , H10K50/11 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299228B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN113238306B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN112364944B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011502665.4
申请日：2020-12-18
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06K9/62 , G06N3/04
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的生活垃圾分类方法。包括：建立生活垃圾数据集，采用数据增强方法扩充数据集；建立神经网络分类模型，使用幻象模块替换ResNet18残差单元的普通卷积，得到G‑ResNet18网络；将扩充后的数据集经过预处理操作后输入到G‑ResNet18网络进行分类训练；将待分类的生活垃圾图片经过预处理操作后输入到训练后的G‑ResNet18模型，输出分类结果；实验结果表明：G‑ResNet18网络在本实验数据集上的识别精度达到91.6%，识别精度提高了1%，网络的参数量减少了46%。本发明能在不降低网络识别精度的同时大大减少网络的参数量，可以应用于垃圾的智能分类。
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公开(公告)号：CN111834503B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535548.1
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113675129A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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