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公开(公告)号:CN103151278A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201310061456.4
申请日:2013-02-27
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/607
CPC分类号: H01L2224/73204
摘要: 本发明公开了一种封装工艺,包括以下步骤:在基板金手指上设置基板焊盘,利用键合设备在基板焊盘上超声焊接基板凸点;将不导电连接胶涂覆在凸点基板正面;再通过超声热压焊接的方式将芯片倒装焊接在基板上。或,利用键合设备在框架端子上超声焊接框架凸点;再通过超声热压焊接的方式将芯片倒装焊接在框架上;最后进行塑封。本发明利用已有键合设备的超声热压工艺在基板/框架上完成凸点制作,芯片上无需安排凸点制作,后工序完成热压/超声热压倒装的方法,可以发挥封装厂在凸点焊接制作方面的优势,减少芯片凸点制作成本,同时降低封装厂制作芯片凸点的成本,减少封装流程,提高封装合格率、降低封装的成本及周期。
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公开(公告)号:CN102593079A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210069357.6
申请日:2012-03-15
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
CPC分类号: H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种芯片封装结构及芯片封装方法,通过一个边缘到金手指的距离大于芯片边缘到金手指的距离的垫层固定在基板上以垫高芯片以避开胶水对金手指的玷污,节约成本,同时增加芯片粘接固化后的硬度,提高焊接质量。
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公开(公告)号:CN103346095A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310279232.0
申请日:2013-07-04
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48
摘要: 本发明提供一种引线框架制造方法,包括:形成引线框架本体,引线框架本体包括多个芯片承载基座和连接部,多个芯片承载基座之间通过连接部连接;对所述连接部进行半刻蚀;在连接部的半刻蚀区域形成塑封层;一方面能有效地保证引线框架的强度,另一方面采用刀片切割连接部时,有效减少刀片与金属的摩擦,进一步地有效减少毛刺的产生,提高封装产品的品质。
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公开(公告)号:CN102931101A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210444530.6
申请日:2012-11-08
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/1354 , H01L2224/13582 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要: 一种芯片封装方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;在所述金属焊盘上形成球下金属电极;在所述球下金属电极表面形成焊球,所述焊球具有第一围裙结构,所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本发明的芯片封装方法增大了焊球和金属焊盘之间的附着力,提升了芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号:CN101789420A
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN201010104887.0
申请日:2010-02-03
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
CPC分类号: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及一种半导体器件的系统级封装结构,包括被动元件、基板、焊盘、第一芯片、第二芯片和塑封料,其中,所述的第一芯片的尺寸小于所述的第二芯片。本发明还涉及一种半导体器件的系统级封装的制造方法,将所述的第一芯片安装在基板上,并与基板上的焊盘通过第一焊线连接;将所述的第二芯片安装在被动元件上或在高导热材料制成的几何体上,并与基板上的焊盘通过第二焊线连接,使得所述的第二芯片悬空放置在第一芯片的正上方;所述的塑封料把第一芯片、第二芯片、被动元件、第一焊线和第二焊线包封。本发明具有封装尺寸小,封装密度高,并且频率响应好的优点,满足系统级封装的电气性能要求。
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公开(公告)号:CN105428254A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510977315.6
申请日:2015-12-23
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
发明人: 沈海军
IPC分类号: H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81447 , H01L2924/15322 , H01L21/4825
摘要: 本申请公开了一种叠层封装方法,包括以下步骤:以倒装贴装的方式将设置有凸点的第一芯片贴装到基板上;在所述基板上形成塑封层,所述塑封层包覆所述第一芯片及所述凸点;对所述塑封层及所述第一芯片进行研磨,直至所述凸点的顶部露出所述塑封层。本申请提供的叠层封装方法,通过将封料层及第一芯片研磨掉来使凸点的顶部露出封料层,而不需要通过激光打孔的方式来使凸点露出封料层,因此克服了采用激光打孔方式时出现的孔径一致性差、凸点露出高度不稳定、钻孔位置容易偏移的问题。采用本申请方法可以实现更小节距的凸点制作。
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公开(公告)号:CN102593028A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210072550.5
申请日:2012-03-19
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/683
摘要: 本申请涉及一种双面贴装器件的基板的固定装置,用于设置在加热台上并承载基板,双面贴装器件的基板的固定装置上设有凸起、埋孔和真空吸附通孔,凸起用于与基板的对应凹部相配合以固定基板,埋孔用于容纳基板上的贴装器件,真空吸附通孔与加热台上的通孔相连通,用于将基板吸附于双面贴装器件的基板的固定装置的上表面。本发明可较好地固定基板,产生了良好的导热性能,保证了产品质量。
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公开(公告)号:CN105632946A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201510990592.0
申请日:2015-12-25
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
发明人: 沈海军
CPC分类号: H01L2224/16227 , H01L2924/15321 , H01L2924/1815 , H01L21/67126 , H01L21/56
摘要: 本申请公开了一种用于封装结构的治具及封装结构的制备方法,治具包括:处于相对面上的接触面和操作面,还包括贯通孔,贯通接触面和操作面,形成腐蚀液通路,供腐蚀液流至封装结构。方法包括:将植焊球后的芯片结构进行塑封,形成塑封结构;将上述的治具的接触面与塑封结构匹配,并且使贯通孔对准焊球;在所述操作面喷洒腐蚀液,至焊球露出。本发明中腐蚀液通过治具的贯通孔对封装结构腐蚀,使腐蚀位置固定,不会出现多个产品发生偏移的问题,同时该方法能够使腐蚀形成的孔孔径、孔深一致,实现批量化生产。
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公开(公告)号:CN105470149A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201510977398.9
申请日:2015-12-22
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
发明人: 沈海军
CPC分类号: H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/568
摘要: 本申请公开了一种贴片元件加工方法,将贴片元件转载到载具,并且所述贴片元件均匀排布;塑封所述转载到所述载具上的贴片元件,形成塑封体,所述贴片元件上具有电极,所述电极的引脚端从所述塑封体的表面露出;将所述贴片元件与载具分离,分割所述塑封体,形成单个具有塑封结构的贴片元件。将贴片元件塑封,电极的引脚端露出,用于连接时使用,塑封体对贴片元件起到了保护作用,避免了由于贴片元件跟相邻器件之间距离过近,导致的短路,同时避免了焊球连接时,焊球中的锡污染电极使其短路。
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公开(公告)号:CN102931101B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201210444530.6
申请日:2012-11-08
申请人: 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/1354 , H01L2224/13582 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要: 一种芯片封装方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层,所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口;在所述金属焊盘上形成球下金属电极;在所述球下金属电极表面形成焊球,所述焊球具有第一围裙结构,所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本发明的芯片封装方法增大了焊球和金属焊盘之间的附着力,提升了芯片封装的可靠性。
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