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公开(公告)号：CN117801821A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311817276.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点核壳结构，该结构通过利用浸渍还原和光沉积两步法修饰贵金属Pt。Ga2O3作为表层包覆在Pt上，可以有效的抑制副反应所带来的负面影响，而Pt金属颗粒下的表面形成的异质结构中的Ga2O3层，可以作为空穴阻挡层，有效提升光生载流子的分离效率。另外通过等离子体辅助分子束外延(MBE)技术，可以实现在Si衬底上生长GaN纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN111048637A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911251245.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
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公开(公告)号：CN116519175B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310798318.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。
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公开(公告)号：CN116205195B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN118825105A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410713280.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C25B11/091 , C25B1/55 , C25B3/21
Abstract: 本发明提供一种AlGaN/Cu2O/CuO异质结核壳结构的制备方法及其自供电光电化学型日盲紫外光电探测器(AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD)的成像系统。相对于裸的AlGaN光电探测器，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有优秀的紫外线光检测能力，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有超高的光响应度，约为173.3mA/W，是AlGaN的7.67倍；开关比为293.33，具有良好的稳定性和良好的水下成像能力，制作工艺简单，成本低廉，具有广阔的成像应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712225A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410857619.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构；本发明通过设置第一隔离区和第二隔离区，并在第一隔离区中设置base电极，第二隔离区中设置κ相氧化镓栅极介质及栅电极，利用κ相氧化镓极高的自发极化强度，耗尽栅极区域下的2DHG，进而实现增强型P沟道HFET；此外本发明还公开了一种栅极与base极相连的结构，有效提升了P沟道GaN器件的开态电流，同时抑制了正偏压下的栅极漏电流；此结构与目前常用的半导体器件生产工艺兼容性高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN118571930A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410754469.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。本发明使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。
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公开(公告)号：CN116205195A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN117904710A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311698267.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓薄膜及其制备方法，方法包括：将镓源在热乙醇中进行热处理，得到流体镓源；对衬底进行预处理，衬底包括前驱衬底和主衬底；将流体镓源置于预处理后的前驱衬底上，并将前驱衬底和主衬底一同置于化学气相淀积反应腔室中；将化学气相淀积反应腔室抽真空后，向腔室内冲入载气直至腔室达到常压状态；将腔室升温到反应温度后，在反应温度保持时间内，通入流动载气；通入氧源至衬底表面，氧源通入过程中腔室保持常压状态；在反应时间结束后停止氧源通入，在流动载气氛围下将腔室内温度降至室温后，再对主衬底进行预处理，得到制备好的氧化镓薄膜。本发明解决了目前氧化镓薄膜外延生长形貌差，结晶度差，成本高的问题。
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公开(公告)号：CN117727845A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311588427.3
申请日：2023-11-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种集成连续型超表面的微腔Micro‑LED装置，包括沿着Z轴从下往上依次集成的金属光栅层、光栅过渡层、p‑GaN层、量子阱有源区层、n‑GaN层、氧化物DBR层和连续型超表面结构；所述p‑GaN层、量子阱有源区层、n‑GaN层构成微谐振腔空腔；所述连续型超表面结构由若干个独立超表面结构周期性分布构成，每个独立超表面结构的XOY平面投影为等腰梯形。本发明不仅用于解决现有技术中偏振光Micro‑LED产生的线偏振光空间相干性较差，发射方向不固定，难以有效收集和利用的问题，还解决了集成离散型超表面造成的器件难以加工、无法实现大角度光束偏转、能量损失较大的问题。
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