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公开(公告)号：CN116519175A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310798318.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。
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公开(公告)号：CN116519175B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310798318.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。
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公开(公告)号：CN108535794A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810225948.5
申请日：2018-03-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电磁超表面和有源介质的光存储器。该光存储器以折射率n1较高的透明平板为基质，结合光在电磁超表面(B和F位置)的负反射来构建闭合光路A-B-C-D-E-F-A；再利用光在方形低折射率n2(＜n1)有源介质表面(D位置)全反射增强来补偿光损耗；最后，采用折射率n3可变的薄膜和折射率固定的三棱镜(A位置)来选择光损耗完全补偿的闭合光路，并实现光的输入、存储和输出。本发明能够完全补偿光损耗，实现光的长时间存储。
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公开(公告)号：CN108535794B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810225948.5
申请日：2018-03-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电磁超表面和有源介质的光存储器。该光存储器以折射率n1较高的透明平板为基质，结合光在电磁超表面(B和F位置)的负反射来构建闭合光路A‑B‑C‑D‑E‑F‑A；再利用光在方形低折射率n2(＜n1)有源介质表面(D位置)全反射增强来补偿光损耗；最后，采用折射率n3可变的薄膜和折射率固定的三棱镜(A位置)来选择光损耗完全补偿的闭合光路，并实现光的输入、存储和输出。本发明能够完全补偿光损耗，实现光的长时间存储。
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