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公开(公告)号：CN116519175B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310798318.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。
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公开(公告)号：CN118825105A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410713280.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C25B11/091 , C25B1/55 , C25B3/21
Abstract: 本发明提供一种AlGaN/Cu2O/CuO异质结核壳结构的制备方法及其自供电光电化学型日盲紫外光电探测器(AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD)的成像系统。相对于裸的AlGaN光电探测器，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有优秀的紫外线光检测能力，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有超高的光响应度，约为173.3mA/W，是AlGaN的7.67倍；开关比为293.33，具有良好的稳定性和良好的水下成像能力，制作工艺简单，成本低廉，具有广阔的成像应用前景。
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公开(公告)号：CN118712225A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410857619.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构；本发明通过设置第一隔离区和第二隔离区，并在第一隔离区中设置base电极，第二隔离区中设置κ相氧化镓栅极介质及栅电极，利用κ相氧化镓极高的自发极化强度，耗尽栅极区域下的2DHG，进而实现增强型P沟道HFET；此外本发明还公开了一种栅极与base极相连的结构，有效提升了P沟道GaN器件的开态电流，同时抑制了正偏压下的栅极漏电流；此结构与目前常用的半导体器件生产工艺兼容性高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN118571930A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410754469.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。本发明使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。
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公开(公告)号：CN117801821A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311817276.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点核壳结构，该结构通过利用浸渍还原和光沉积两步法修饰贵金属Pt。Ga2O3作为表层包覆在Pt上，可以有效的抑制副反应所带来的负面影响，而Pt金属颗粒下的表面形成的异质结构中的Ga2O3层，可以作为空穴阻挡层，有效提升光生载流子的分离效率。另外通过等离子体辅助分子束外延(MBE)技术，可以实现在Si衬底上生长GaN纳米线阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110863243B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201911180429.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种采用纳米结构制备高质量金刚石单晶的二次外延方法，其生长步骤是：1)选用高温高压金刚石作为籽晶；2)对籽晶表面缺陷和损伤刻蚀预处理；3)控制反应室压力，微波功率，温度，甲烷浓度以及生长时间，首次外延2～40μm厚度金刚石薄膜层；4)电子束蒸发蒸镀约4～40nm厚度金属Ni薄膜层；5)高温热处理获得金属纳米颗粒图形；6)等离子刻蚀获得金刚石纳米颗粒图层；7)控制反应室压力，微波功率，温度，甲烷浓度以及生长时间，二次外延5‑200μm厚度金刚石薄膜。本发明有效抑制金刚石薄膜内缺陷的延伸、降低缺陷密度、提高晶体表面的平整度。
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公开(公告)号：CN111048637A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911251245.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
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公开(公告)号：CN119694795A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411285549.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的NiO纳米颗粒@AlGaN纳米线光电极的制备及应用，包括，通过利用浸渍和煅烧的方法在AlGaN纳米线上修饰NiO纳米颗粒从而形成该结构。一方面NiO和AlGaN构成II型异质结，可以促进载流子分离，有效提升光生载流子的分离效率；另一方面NiO和AlGaN对不同波长的光穿透深度不同，因此在不同波长下产生主导光生载流子的对象不同，因而该电极可以在不同波长光照下产生极性相反的光电流。
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公开(公告)号：CN119677221A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411866449.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用，属于电极技术领域；光电极制备过程包括：将n‑GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将Co(NO3)2、NaIO3和甲醇混合配置成溶液A，然后将n‑GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品；将Na2SO3水溶液与CuSO4水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极；将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型，得益于合理的Co3O4/Cu2O装饰，在365nm光照下实现了的高响应和快速响应/恢复时间。
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公开(公告)号：CN118471133B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410919718.4
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京邮电大学 , 湖州深芯智能科技有限公司
IPC: G09G3/32 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开一种Micro‑LED显示阵列的十位高精确度PWM驱动电路，属于LED驱动技术领域；包括：LDO低压差线性稳压器模块：用于提供1.8V和3.3V电源电压；自偏置电流源模块：为电流选择器模块提供参考电流；数据存储器模块：用于存储输入的像素灰度值数据；十位数据处理器模块：将像素点的十位灰度值分解为电流控制的两位灰度值与PWM控制的八位灰度值；八位时间按权PWM控制器模块：将八位PWM信号按照二进制权重输出到Micro‑LED矩阵；电流选择器模块：根据控制信号选择大小不同的电流，给对应的2T1C驱动电路供电；2T1C驱动电路：用于Micro‑LED像素点的显示控制。
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