公开(公告)号：CN119677221A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411866449.6

申请日：2024-12-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 智婷 ,  王汉成 ,  赵强 ,  汪金 ,  薛俊俊

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H10F77/169 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明公开一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用，属于电极技术领域；光电极制备过程包括：将n‑GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将Co(NO3)2、NaIO3和甲醇混合配置成溶液A，然后将n‑GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品；将Na2SO3水溶液与CuSO4水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极；将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型，得益于合理的Co3O4/Cu2O装饰，在365nm光照下实现了的高响应和快速响应/恢复时间。

公开(公告)号：CN118422257A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410506246.X

申请日：2024-04-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 智婷 ,  陈温豪 ,  王汉成 ,  汪金 ,  薛俊俊

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/02 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55

Abstract: 本发明属于电极技术领域，具体涉及一种锗掺杂氧化钴修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用；所述制备方法包括：S1、将GeO2、NaOH以及去离子水混合配制成溶液A，将溶液A水热处理，然后蒸发得到白色粉末，将白色粉末进行流动退火处理，得到Na2GeO3粉末；S2、将C4H6CoO4·4H2O、C6H5Na3O7·2H2O以及去离子水配制溶液B，将NaOH、CO(NH2)2以及去离子水配制溶液C，向溶液C中加入溶液B以及Na2GeO3粉末得到混合溶液，将混合溶液水热、离心处理，再用乙醇洗涤，得到紫红色粉末，对紫红色粉末干燥、脱水处理，得到锗掺杂氧化钴粉末；将掺锗氧化钴粉末以及去离子水混合得溶液D，用去离子水对溶液D稀释配制成溶液E，将氮化镓光电极置于溶液E中，然后烧结得到锗掺杂氧化钴修饰的氮化镓光电极。