公开(公告)号：CN118712225A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410857619.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄淞 ,  马文超 ,  汪金 ,  薛俊俊 ,  智婷 ,  宋欢 ,  刘思楚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构；本发明通过设置第一隔离区和第二隔离区，并在第一隔离区中设置base电极，第二隔离区中设置κ相氧化镓栅极介质及栅电极，利用κ相氧化镓极高的自发极化强度，耗尽栅极区域下的2DHG，进而实现增强型P沟道HFET；此外本发明还公开了一种栅极与base极相连的结构，有效提升了P沟道GaN器件的开态电流，同时抑制了正偏压下的栅极漏电流；此结构与目前常用的半导体器件生产工艺兼容性高，稳定性好。

公开(公告)号：CN118571930A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410754469.8

申请日：2024-06-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 汪金 ,  黄淞 ,  宋欢 ,  刘思楚 ,  薛俊俊 ,  智婷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。本发明使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。