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发明公开
一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN117801821A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311817276.4

申请日：2023-12-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 薛俊俊 , 袁知渊 , 高竹君 , 汪金 , 智婷

IPC: C09K11/87 , G01J1/42 , C09K11/02

Abstract: 本发明提出了一种GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点核壳结构，该结构通过利用浸渍还原和光沉积两步法修饰贵金属Pt。Ga2O3作为表层包覆在Pt上，可以有效的抑制副反应所带来的负面影响，而Pt金属颗粒下的表面形成的异质结构中的Ga2O3层，可以作为空穴阻挡层，有效提升光生载流子的分离效率。另外通过等离子体辅助分子束外延(MBE)技术，可以实现在Si衬底上生长GaN纳米线阵列。

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