一种氮化镓基光子晶体面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN116169560A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310441061.0

    申请日:2023-04-23

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基光子晶体面发射激光器及制备方法,包括衬底层、底层GaN层、多孔GaN/GaN组成的DBR层、AlGaN‑n层、GaN‑n层、有源层、p‑GaN层、TiO2光子晶体层、p电极、n电极。本发明采用多孔GaN/GaN组成的DBR和TiO2光子晶体层,可以实现光场模式分布的强约束及调节控制,从而优化得到光场在光子晶体层和有源层的高限制因子,利于低阈值高效激光器的实现。

    一种有源蓝光集成型光子晶体折射率传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN114894744A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210203063.1

    申请日:2022-03-03

    Inventor: 刘启发 马尚

    Abstract: 本发明公开了一种有源蓝光集成型光子晶体折射率传感器及制备方法,本发明利用负热光系数的TiO2光子晶体层补偿正热光系数的GaN薄膜,降低了温度变化对折射率测量的影响,提高传感器的稳定性;GaN薄膜设计为悬空结构,空气包覆层提高TiO2光子晶体层的限制因子,使传感器获得高灵敏度。在GaN薄膜内嵌入MQWS层作为发光源,使传感器不需要外置光源,实现单片有源集成。

    一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN111641108A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010478262.4

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法,包括硅衬底层、AlGaN缓冲层、n-GaN层、n-电极、有源层、p-GaN层、p-电极、以及在表面GaN刻蚀形成的光子晶体或在GaN表面生长制备的光子晶体层。本发明采用背面释放衬底并对Ⅲ-Ⅴ族进行可控减薄的悬空结构,可以实现光场模式分布的调节及控制,从而优化得到在GaN表面光子晶体的高效耦合强度和在有源层的高耦合强度,利于低阈值激光器的实现。采用在GaN表面刻蚀形成光子晶体或在GaN表面生长制备光子晶体,方法工艺更加简便;同时未对有源层带来破坏,可以应用于电泵浦激光。

    基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN114094440B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202111237411.9

    申请日:2021-10-22

    Inventor: 刘启发 沈威

    Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法,包括:p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构,本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构,解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题,该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。

    一种新型柔性力敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111693189B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202010478261.X

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种新型柔性力敏传感器及其制备方法,本发明包括柔性材料、其上的微结构电极阵列区和宏观结构电极、与微结构电极阵列区结合的微纳碳材料所组成。本发明结合了柔性材料、微阵列电极结构和微纳碳材料,基于压阻原理实现了简便、低成本、高灵敏度、多维度感应的力学信号传感。微阵列电极制作于柔性材料表面,同时微纳碳材料和微阵列电极复合形成传感区。制备方法采用传统的微纳加工工艺实现。

    基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN114094440A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111237411.9

    申请日:2021-10-22

    Inventor: 刘启发 沈威

    Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法,包括:p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构,本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构,解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题,该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。

    一种新型柔性力敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111693189A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010478261.X

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种新型柔性力敏传感器及其制备方法,本发明包括柔性材料、其上的微结构电极阵列区和宏观结构电极、与微结构电极阵列区结合的微纳碳材料所组成。本发明结合了柔性材料、微阵列电极结构和微纳碳材料,基于压阻原理实现了简便、低成本、高灵敏度、多维度感应的力学信号传感。微阵列电极制作于柔性材料表面,同时微纳碳材料和微阵列电极复合形成传感区。制备方法采用传统的微纳加工工艺实现。

    一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法

    公开(公告)号:CN109270626B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201811433756.X

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法,包括SOI晶片,SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽,所述刻槽内填充介质材料,在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题,并且通过光栅刻槽间加入介质材料,减少光栅和刻槽之间的折射率差,从而获得较窄的反射波段,达到浅刻蚀所能达到的效果,对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。

    基于雷达传感的智能停车位管理系统

    公开(公告)号:CN106710297A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611152107.3

    申请日:2016-12-14

    CPC classification number: G08G1/148

    Abstract: 本发明公开了基于雷达传感的智能停车位管理系统,该系统利用雷达传感器进行停车位信息感知,继而实现对停车位的智能管理。该主要包括:发射雷达调制信号;接收停车位的回波信号;对回波信号进行处理和分析;根据特定的计算和判定方法得到停车位有无车辆的判定信息;将该信息通过无线和有线网络传送到系统平台,以实现信息显示、信息发布、设备设施控制等针对于停车的智能管理和服务。本发明采用雷达传感的方法,可以实现全天候、高准确度和灵敏度、实时的停车位智能管理和服务。

    基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN114094439B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202111234345.X

    申请日:2021-10-22

    Inventor: 刘启发 周扬

    Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法,结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构,从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体,其生长制备更加简便,并且实现了高Q值,低损耗,同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合,有利于高性能激光器的实现。

Patent Agency Ranking