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公开(公告)号：CN111641108A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010478262.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法，包括硅衬底层、AlGaN缓冲层、n-GaN层、n-电极、有源层、p-GaN层、p-电极、以及在表面GaN刻蚀形成的光子晶体或在GaN表面生长制备的光子晶体层。本发明采用背面释放衬底并对Ⅲ-Ⅴ族进行可控减薄的悬空结构，可以实现光场模式分布的调节及控制，从而优化得到在GaN表面光子晶体的高效耦合强度和在有源层的高耦合强度，利于低阈值激光器的实现。采用在GaN表面刻蚀形成光子晶体或在GaN表面生长制备光子晶体，方法工艺更加简便；同时未对有源层带来破坏，可以应用于电泵浦激光。
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公开(公告)号：CN111641108B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010478262.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法，包括硅衬底层、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、n‑电极、有源层、p‑GaN层、p‑电极、以及在表面GaN刻蚀形成的光子晶体或在GaN表面生长制备的光子晶体层。本发明采用背面释放衬底并对Ⅲ‑Ⅴ族进行可控减薄的悬空结构，可以实现光场模式分布的调节及控制，从而优化得到在GaN表面光子晶体的高效耦合强度和在有源层的高耦合强度，利于低阈值激光器的实现。采用在GaN表面刻蚀形成光子晶体或在GaN表面生长制备光子晶体，方法工艺更加简便；同时未对有源层带来破坏，可以应用于电泵浦激光。
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公开(公告)号：CN111641107B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010475784.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛光子晶体的面发射型氮化镓基激光器及制备方法，包括蓝宝石衬底层、n‑GaN层、n‑AlGaN层、波导n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层、p‑GaN层、p‑电极、TiO2光子晶体层。本发明采用了TiO2作为光子晶体层的材料，实现了对光场模式分布的有益调控，能实现在光子晶体内的高效耦合，更有利于激光器低阈值的实现。采用了在晶片表面生长制备光子晶体层，相比传统的在晶片材料内部引入光子晶体的方法更为简单方便，降低了制备加工的难度。
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公开(公告)号：CN111641107A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010475784.9
申请日：2020-05-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛光子晶体的面发射型氮化镓基激光器及制备方法，包括蓝宝石衬底层、n-GaN层、n-AlGaN层、波导n-GaN层、n-电极、InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层、p-GaN层、p-电极、TiO2光子晶体层。本发明采用了TiO2作为光子晶体层的材料，实现了对光场模式分布的有益调控，能实现在光子晶体内的高效耦合，更有利于激光器低阈值的实现。采用了在晶片表面生长制备光子晶体层，相比传统的在晶片材料内部引入光子晶体的方法更为简单方便，降低了制备加工的难度。
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